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STMicroelectronics Utiliza Tecnología Completo Agotada del Silicio-en-Aislador en 20 28 del nanómetro Nodos del nanómetro y

Published on June 13, 2012 at 2:45 AM

Por la Voluntad Soutter

GLOBALFOUNDRIES fabricará los dispositivos para STMicroelectronics usando una tecnología Completo Agotada del Silicio-en-Aislador (FD-SOI) en 20 28 del nanómetro nodos del nanómetro y. STMicroelectronics, el propietario de esta tecnología, es un arranque de cinta mundial del semiconductor que provee de sus clientes un rango de las aplicaciones de la electrónica.

Los dispositivos de FD-SOI con su disponibilidad oportuna y en grandes cantidades pueden satisfacer la demanda de mercado para que las tablillas y los teléfonos elegantes manejen las multimedias, los gráficos atractivos y la conectividad de banda ancha de alta velocidad sin afectar a la vida de servicio de la batería.

Los dispositivos de FD-SOI se utilizan para reemplazar el uso de los transistores convencionales y de las geometrías que encoge que no pueden entregar rendimiento óptimo sin el aumento de la temperatura y drenar la vida de servicio de la batería. Los Transistores agotados completo y capaces de usar potencia activa inferior, potencia en modo espera inferior y funcionamiento del alto pico se utilizan para mejorar el funcionamiento de las aplicaciones de la convergencia de las multimedias con rendimiento energético excelente.

La tecnología de FD-SOI permite que STMicroelectronics entregue los dispositivos que completo se agotan mucho por adelantado en comparación con la época de entrega de otras compañías. en Julio de 2012, 28 la generación del nanómetro FD-SOI estará lista para la creación de un prototipo y 20 la generación del nanómetro FD-SOI estará lista en 2013.

La capacidad de la compra de componentes de FD-SOI ha sido aumentada en STMicroelectronics complementando el proceso de la fabricación interno de la compañía en Crolles, Francia con la capacidad industrial de GLOBALFOUNDRIES'. STMicroelectronics proyecta permitir que los otros socios de GLOBALFOUNDRIES lleguen hasta la tecnología de FD-SOI para permitir a sus socios desarrolla productos con tecnología avanzada en los 20 nanómetros y 28 nodos del nanómetro.

Joel Hartmann, VP De La Corporación, Sector de Digitaces y R&D de la Fabricación y del Proceso de la Parte Frontal de STMicroelectronics, asegura proveer de los clientes de compañía las ventajas que incluyen el uso de tablillas y de aplicaciones inalámbricas. Felipe Magarshack VP De La Corporación, Enablement del Diseño y Servicios, también comentó respecto al funcionamiento importante de FD-SOI incluso en la baja tensión con alto rendimiento energético.

Fuente: http://www.st.com/

Last Update: 13. June 2012 03:58

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