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STMicroelectronics は 20 の nm および 28 の nm ノードで十分に減らされたシリコン・オン・インシュレータの技術を使用します

Published on June 13, 2012 at 2:45 AM

意志 Soutter によって

GLOBALFOUNDRIES は 20 の nm および 28 の nm ノードで十分に減らされたシリコン・オン・インシュレータ (FD-SOI) の技術を使用することによって STMicroelectronics のための装置を製造します。 STMicroelectronics、この技術の所有者は、電子工学アプリケーションの範囲を顧客に与えている世界的な半導体のリーダーです。

時機を得たアベイラビリティの FD-SOI 装置および大量は電池の耐用命数に影響を与えないで高速のマルチメディア、魅力的な図形および広帯域接続を扱うためにタブレットおよびスマートな電話のための市場の需要を達成できます。

FD-SOI 装置が温度を増加し、電池の耐用命数を流出させないで最適化されたパフォーマンスを提供しない憶病な幾何学および慣習的なトランジスターの使用法を取り替えるのに使用されています。 十分に低いアクティブな電源、低い予備力および最も高いピークパフォーマンスを使用する減り、ことができるトランジスターが優秀なエネルギー効率のマルチメディアの収束アプリケーションのパフォーマンスを改善するのに使用されています。

FD-SOI の技術は STMicroelectronics が他の会社の渡す時と比べて十分に多く前もって減る装置を提供するようにします。 2012 年 7 月までに、 28 nm FD-SOI の生成はプロトタイピングの準備ができて、 20 nm FD-SOI の生成は 2013 年までに準備ができています。

FD-SOI ソース容量は Crolles、 GLOBALFOUNDRIES の」生産能力のフランスの会社の内部製造工程の補足による STMicroelectronics によって高められました。 STMicroelectronics は 20 nm および 28 の nm ノードで開発します先行技術の製品を GLOBALFOUNDRIES の他のパートナーがパートナーを可能にするために FD-SOI の技術にアクセスすることを可能にすることを計画します。

Joel Hartmann、団体 VP、デジタルセクターおよび STMicroelectronics のフロント・エンド製造業およびプロセスは R & D、タブレットおよび無線アプリケーションの使用法を含んでいる利点を会社取引先の与えを保障します。 Philippe Magarshack 団体 VP、デザイン Enablement およびサービスはまた高エネルギーの効率の低電圧で FD-SOI の重要なパフォーマンスについて、コメントしました。

ソース: http://www.st.com/

Last Update: 13. June 2012 03:57

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