Membrane Di Tamburo di Graphene di Aria dei Ricercatori del NIST Per Formare i Punti di Quantum

Published on June 25, 2012 at 6:50 AM

Dalla Volontà Soutter

I ricercatori di National Institute of Standards and Technology (NIST) hanno scoperto che quando il graphene è sottoposto a sforzo meccanico, formandolo in una membrana di tamburo, l'effetto dei campi magnetici è imitato, creante un punto di quantum, che è un tipo instabile a semiconduttore che ha tantissime applicazioni potenziali in apparecchi elettronici. L'emissione del 22 giugno 2012 di Scienza ha pubblicato i risultati.

I ricercatori del NIST hanno mostrato che quello sforzare la membrana del graphene crea i campi pseudomagnetic che limita gli elettroni dei graphene e crea i livelli energetici del tipo di punto quantificati di quantum. I precedenti sono un'immagine falsa di colore delle membrane di tamburo del graphene fatte da un a un solo strato di graphene oltre i pozzi micron di taglia 1 incisi in un substrato del diossido di silicio. Credito: N. Klimov e T. Li, NIST/UMD

Graphene è un singolo livello dell'atomo di carbonio formato sotto forma di una grata del favo. Il materiale ha il potenziale di condurre l'elettricità alla temperatura ambiente con la resistenza minima. Graphene è un candidato chiave per una vasta gamma di applicazioni dai transistor ad alta velocità alle visualizzazioni flessibili.

Poichè la velocità dell'elettrone che si muove attraverso il graphene è diminuito dovuto i substrati, un ricercatore postdottorale del NIST dell'Università del Maryland ha sospeso il graphene sopra i fori bassi in un substrato del diossido di silicio che fa una schiera delle membrane di tamburo del graphene. Un microscopio innovatore della sonda di scansione, costruito e progettato al NIST è stato utilizzato per misurare i beni di graphene.

La Ricerca sulle membrane di tamburo ha indicato che il graphene è aumentato per incontrare il suggerimento del microscopio dovuto la forza di van der Waals, che è una forza elettrica debole che forma l'un l'altro un'attrazione fra gli oggetti molto vicino.

Nikolai ha specificato che il loro strumento ha indicato che il graphene era a forma di bolla premuto alle barriere; tuttavia le simulazioni fatte dai colleghi dell'Università del Maryland hanno provato che il più alto punto dei graphene soltanto stava individuando. La forma, hanno detto erano più simile ad una tenda di circo. Lo sforzo a membrana di tamburo potrebbe essere regolato per mezzo della zolla di conduzione su cui il substrato e il graphene sono stati montati per formare un'attrazione del countervale e per tirare giù la membrana di tamburo. Il graphene ha potuto essere tirato in o dal foro sotto.

Egualmente è stato indicato che i beni elettrici del materiale sono cambiato cambiando il grado di sforzo. Questa tecnica di formazione delle aree semicondutrici quali i punti di quantum nel graphene tramite modifica di forma può offrire a scienziati l'intervallo di banda e l'alta velocità critici ad applicazioni di calcolo ed altre.

Il collega Joseph Stroscio del NIST ha specificato che per fare un punto di quantum del graphene, era necessario da tagliare un pezzo nano del graphene. È possibile raggiungere la stessa cosa con dai i campi pseudomagnetic indotti da sforzo.

Il lavoro di ricerca è stato fatto in società con l'Istituto Di Ricerca Della Corea degli Standard e Scienza e l'Università del Maryland, Sosta dell'Istituto Universitario.

Sorgente: http://www.nist.gov

Last Update: 25. June 2012 07:53

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