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Posted in | Nanofabrication

应用的材料生成铭刻 3D 内存结构的系统

Published on June 29, 2012 at 7:36 AM

G.P. 托马斯

应用的材料引入其被标记被设计接受挑战与高密相关, terabit 存储容量,三维内存结构设计的应用的 Centura 具体化铭刻系统的最新的电介质铭刻系统。

Centura 具体化铭刻系统

Prabu 博士王侯、副总统和铭刻商业的通用 Manger 在应用的,阐明,这家公司在等离子技术利用其专门技术通过多个层复杂物质栈实现深刻的蚀刻特点 3D 内存结构。 这家公司已经调度了超过 30 个房间给多种客户。

三维与非内存列阵是有非常高二进制位密度的一刹那设备,并且可能适应多达 64 块存储单元层。 设计和从头编译, Centura 具体化系统有能力在蚀刻沟槽通过深度多个影片层对宽度长宽比, 80 上:1. 为了察觉此比例,一个可能与有长宽比 10 的华盛顿纪念碑比较它:1. 这个系统同时也有能力在用不同的深度的蚀刻结构上。 此功能通过启用生产实现存储单元的连接数与外面电路象楼梯的联络结构。

设置应用的材料陈列具体化系统以及其他新颖的筹码做技术在 SEMICON 西方 2012年从 7月 10日到 12日。

来源: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. December 2013 16:37

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