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Posted in | Nanofabrication

應用的材料生成銘刻 3D 內存結構的系統

Published on June 29, 2012 at 7:36 AM

G.P. 托馬斯

應用的材料引入其被標記被設計接受挑戰與高密相關, terabit 存儲容量,三維內存結構設計的應用的 Centura 具體化銘刻系統的最新的電介質銘刻系統。

Centura 具體化銘刻系統

Prabu 博士王侯、副總統和銘刻商業的通用 Manger 在應用的,闡明,這家公司在等離子技術利用其專門技術通過多個層複雜物質棧實現深刻的蝕刻特點 3D 內存結構。 這家公司已經調度了超過 30 個房間给多種客戶。

三維與非內存列陣是有非常高二進制位密度的一刹那設備,并且可能適應多達 64 塊存儲單元層。 設計和從頭編譯, Centura 具體化系統有能力在蝕刻溝槽通過深度多個影片層對寬度長寬比, 80 上:1. 為了察覺此比例,一个可能與有長寬比 10 的華盛頓紀念碑比較它:1. 這個系統同時也有能力在用不同的深度的蝕刻結構上。 此功能通過啟用生產實現存儲單元的連接數與外面電路像樓梯的聯絡結構。

設置應用的材料陳列具體化系統以及其他新穎的籌碼做技術在 SEMICON 西方 2012年從 7月 10日到 12日。

來源: http://www.appliedmaterials.com

Last Update: 12. December 2013 16:39

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