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Los Resultados del Estudio Pavimentan Manera De Desarrollar el Dispositivo de Almacenamiento Compacto

Published on July 5, 2012 at 3:03 AM

Por la Voluntad Soutter

La Actual cuenta de átomos magnéticos en un dígito binario de los datos registrados en un disco duro es casi 3 millones.

Usando una punta del microscopio el hacer un túnel de la exploración, los pulsos definidos de la electricidad fueron aplicados a la molécula, que cambia entre diversos estados magnéticos. (foto: CFN/KIT)

Ahora, una memoria magnética con una densidad de un dígito binario por la molécula ha sido desarrollada por los científicos Centro de s del Instituto de Tecnología de Karlsruhe (CONJUNTO) ' para Nanostructures Funcional, la Universidad de Chiba, y el DES Matériaux de Institut de Physique y de Chimie.

El sincrotrón de SOLEIL en Francia también desempeñó un papel en la investigación. Los investigadores podían cambiar seguro una molécula metalorgánica entre un estado inferior-conductor, diamagnético y un estado conductor, magnético usando un pulso eléctrico. Las conclusión del estudio se han publicado en el gorrón, Comunicaciones de la Naturaleza.

Los Abetos son autor, Toshio Miyamachi informados que el asiento de las tallas de poquitín en un disco duro consigue prevenido por el efecto superparamagnético. Este efecto significa que los cristales magnéticos de la memoria son más vulnerables a la transferencia térmica con reducir talla, así dando por resultado la información perdida. Los investigadores seleccionaron una diversa aproximación en la cual un átomo magnético del hierro se coloca en el centro de una molécula orgánica de 51 átomos que actúe un shell para proteger los datos salvados en el átomo central.

Además de tener un dígito binario por densidad de la molécula, este tipo de memoria molécula-basada cruce de la barrena también tiene la ventaja del proceso seguro y puramente eléctrico de la escritura. La Carga del grupo de investigación en Physikalisches Institut, Wulf Wulfhe-kel del CONJUNTO informó que los investigadores utilizaron un microscopio el hacer un túnel de la exploración para aplicar pulsos definidos de la electricidad a la molécula de la nano-escala. Esto altera en varias ocasiones no sólo el estado magnético del hierro, pero también las propiedades eléctricas de la molécula. Así, las dos configuraciones magnéticas causan la conductancia variable, que a su vez permite la detección más fácil del estado magnético de la molécula simple midiendo la resistencia.

Este estudio demuestra la viabilidad del principio y las ventajas de las memorias molécula-basadas cruce de la barrena. Según los investigadores, la combinación de propiedades spintronic y memristive en una molécula pavimentará la manera a un nuevo campo de la investigación. Spintronics utiliza barrena magnética de las partículas individuales' a la información de proceso y Memristors es las memorias que salvan datos bajo la forma de variaciones en resistencia.

Fuente: http://www.kit.edu

Last Update: 5. July 2012 05:06

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