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研究结果铺平道路发展紧凑存贮设备

Published on July 5, 2012 at 3:03 AM

由意志 Soutter

当前计数在硬盘上记录的一位的磁性原子数据是接近 3 百万。

使用扫描挖洞显微镜技巧,被定义的电脉冲被运用了于分子,切换区别磁性状态之间。 (照片: CFN/KIT)

现在,与密度的磁性内存每个分子一位由从卡尔斯鲁厄技术研究所的科学家开发了 (工具箱) ' 功能 Nanostructures、千叶大学和 Institut de Physique 和 Chimie des Matériaux s 中心。

SOLEIL 同步加速器在法国在这个研究也扮演作用。 通过使用电脉冲,研究员能可靠切换一个金属有机分子在一个低导电性,无磁性的状态和一种导电性,磁性状态之间。 研究发现在这个日记帐,本质通信上被发布了。

编写, Toshio Miyamachi 通知的冷杉微小的位范围项到一个硬盘里获得防止由这个 superparamagnetic 作用。 此作用意味着磁性内存水晶是易损坏对与减少范围的热量切换,因而造成丢失的信息。 研究员选择了一个磁性铁原子在 51 原子有机分子的中心安置操作壳保护在这个中央原子保存的数据的一个不同的途径。

除有以外每个分子密度一位,此种空转天桥基于分子的内存也有可靠和纯粹地电文字进程的福利。 研究小组的领导人在工具箱的 Physikalisches Institut, Wulf Wulfhe-kel 的通知研究员使用扫描挖洞显微镜运用被定义的电脉冲于纳诺缩放比例分子。 这重复修改不仅铁的磁性状态,而且分子的电子属性。 因此,二种磁性配置导致多变的导率,通过评定阻力反过来允许分子的磁性状态更加容易的检测。

此研究展示空转天桥基于分子的内存的原则生活能力和福利。 根据研究员, spintronic 和 memristive 属性的组合在分子的将铺平道路对一个新的研究域。 Spintronics 使用各自的对处理信息的微粒’磁性空转,并且 Memristors 是以在阻力上的变化的形式保存数据的内存。

来源: http://www.kit.edu

Last Update: 5. July 2012 05:04

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