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研究結果鋪平道路發展緊湊存貯設備

Published on July 5, 2012 at 3:03 AM

由意志 Soutter

當前計數在硬盤上記錄的一位的磁性原子數據是接近 3 百萬。

使用掃描挖洞顯微鏡技巧,被定義的電脈衝被運用了於分子,切換區別磁性狀態之間。 (照片: CFN/KIT)

現在,與密度的磁性內存每個分子一位由從卡爾斯魯厄技術研究所的科學家開發了 (工具箱) ' 功能 Nanostructures、千葉大學和 Institut de Physique 和 Chimie des Matériaux s 中心。

SOLEIL 同步加速器在法國在這個研究也扮演作用。 通過使用電脈衝,研究員能可靠切換一個金屬有機分子在一個低導電性,無磁性的狀態和一種導電性,磁性狀態之間。 研究發現在這個日記帳,本質通信上被發布了。

編寫, Toshio Miyamachi 通知的冷杉微小的位範圍項到一個硬盤裡獲得防止由這個 superparamagnetic 作用。 此作用意味著磁性內存水晶是易損壞對與減少範圍的熱量切換,因而造成丟失的信息。 研究員選擇了一個磁性鐵原子在 51 原子有機分子的中心安置操作殼保護在這個中央原子保存的數據的一個不同的途徑。

除有以外每個分子密度一位,此種空轉天橋基於分子的內存也有可靠和純粹地電文字進程的福利。 研究小組的領導人在工具箱的 Physikalisches Institut, Wulf Wulfhe-kel 的通知研究員使用掃描挖洞顯微鏡運用被定義的電脈衝於納諾縮放比例分子。 這重複修改不僅鐵的磁性狀態,而且分子的電子屬性。 因此,二種磁性配置導致多變的導率,通過評定阻力反過來允許分子的磁性狀態更加容易的檢測。

此研究展示空轉天橋基於分子的內存的原則生活能力和福利。 根據研究員, spintronic 和 memristive 屬性的組合在分子的將鋪平道路對一個新的研究域。 Spintronics 使用各自的對處理信息的微粒』磁性空轉,并且 Memristors 是以在阻力上的變化的形式保存數據的內存。

來源: http://www.kit.edu

Last Update: 5. July 2012 05:04

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