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Posted in | Graphene

Neue Ersteigbare Fälschungs-Technik für Graphene-Transistoren

Published on July 7, 2012 at 4:44 AM

Durch Willen Soutter

Forscher des Instituts Kaliforniens Nanosystems an UCLA zusammen mit Forschern von Ingenieurschule UCLA Henry Samueli und von Angewandter Wissenschaft und VON UCLA-Abteilung von Chemie und von Biochemie haben eine ersteigbare Technik für die Schaden-freie Fälschung von selbst-ausgerichteten graphene Transistoren entwickelt.

Selbst--alligning graphene Transistoren (Kredit: UCLA)

Graphene wird vom Graphit berechnet und ist eine einschichtige Zelle von Kohlenstoffatomen. Seine Eigenschaften lassen es einen idealen Kandidaten als Transistoren bedienen, um die Entwicklung von kleineren und schnelleren elektronischen Geräten zu ermöglichen.

Fälschung des Großen Umfangs von graphene wird durch die schwindene Schuppe von elektronischen Geräten und von unterscheidenden Eigenschaften der graphenes behindert. Wenn herkömmliche Fälschungstechniken für graphene Fertigung eingesetzt werden, erhält die Leistung und die Gitterform von graphene häufig im Prozess beschädigt, den die zu Probleme wie Serienwiderstand und parasitäre Kapazitanz führt, wenn es in den Schaltungen beschäftigt wird. Die neue Methode bezieht den Gebrauch einer Opfersubstratfläche für die Durchführung der Lithographie, Absetzung und die Ätzung Schritte und nachfolgende Beschäftigung eines körperlichen übertragenden Prozesses, um das Muster mit graphene zu integrieren mit ein.

Die Methode ebnet Methode für Schaden-freie, selbst-ausgerichtete graphene Transistoren mit einer Grenzfrequenz von 400 MHZ, das höchste bis Dattel für graphene Transistoren. Die Ergebnisse zeigen das Potenzial für graphene in den ultra Hochfrequenzeinheiten.

Die Forschung wird durch die Nationalen Institute der Gesundheit, die National Science Foundation und das US-Büro der MarineForschung finanziert.

Quelle: Gerät

Last Update: 7. July 2012 06:08

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