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Posted in | Graphene

Nueva Técnica Escalable de la Fabricación para los Transistores de Graphene

Published on July 7, 2012 at 4:44 AM

Por la Voluntad Soutter

Los Investigadores del Instituto de California Nanosystems en el UCLA junto con investigadores de la Escuela del UCLA Henry Samueli de la Ingeniería y de la Ciencia Aplicada y del Departamento del UCLA de la Química y de la Bioquímica han desarrollado una técnica escalable para la fabricación libre de daños de los transistores uno mismo-alineados del graphene.

Transistores del graphene del Uno mismo-alligning (Haber: UCLA)

Graphene se deriva del grafito y es una estructura de una sola capa de los átomos de carbón. Sus propiedades le hacen a un candidato ideal para operatorio como transistores para facilitar el revelado de dispositivos electrónicos más pequeños y más rápidos.

La fabricación del Gran escala del graphene es impedida por la escala de disminución de dispositivos electrónicos y de las propiedades distintivas de los graphene. Cuando las técnicas convencionales de la fabricación se emplean para la manufactura del graphene, el funcionamiento y la dimensión de una variable del cedazo del graphene consigue a menudo dañados en el proceso que ése lleva a los problemas tales como resistencia serial y capacitancia parásita cuando está empleada en circuitos. El nuevo método implica el uso de un substrato sacrificatorio para realizar la litografía, deposición y los pasos de progresión grabar el ácido y el empleo subsiguiente de un proceso de traslación físico para integrar el modelo con el graphene.

El método pavimenta la manera para los transistores libres de daños, uno mismo-alineados del graphene con una frecuencia de atajo de 400 Megaciclos, el más alto hasta la fecha para los transistores del graphene. Los resultados muestran el potencial para el graphene en dispositivos ultra de alta frecuencia.

La investigación es financiada por los Institutos de la Salud Nacionales, el National Science Foundation y la Oficina de los E.E.U.U. de la Investigación Naval.

Fuente: http://www.ucla.ed

Last Update: 7. July 2012 06:10

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