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Posted in | Graphene

Graphene 晶体管的新的可升级的制造技术

Published on July 7, 2012 at 4:44 AM

由意志 Soutter

加利福尼亚 Nanosystems 学院的研究员加州大学洛杉矶分校的以及从工程和应用科学和加州大学洛杉矶分校化学系加州大学洛杉矶分校亨利 Samueli 学校的研究员和生化开发了无损的生产的可升级的技术自对齐的 graphene 晶体管。

自的 alligning graphene 晶体管 (赊帐: 加州大学洛杉矶分校)

Graphene 从石墨派生并且是碳原子一个单一层状结构。 其属性使它一名理想的候选人运行作为晶体管实现更小和更加快速的电子设备的发展。

graphene 的大规模制造由电子设备和 graphene 的特别属性减少的缩放比例妨碍。 当常规制造技术被使用的 graphene 制造时,那在电路导致问题例如序列阻力和寄生电容,当使用 graphene 的性能和格子形状在这个进程中经常获得损坏。 新的方法介入使用执行石版印刷,证言和铭刻的步骤和一个实际调用的进程的随后的雇佣一个牺牲基体集成与 graphene 的模式。

这个方法铺平无损,自对齐的 graphene 晶体管的道路有 400 MHz 截止频率的,最高直到 graphene 晶体管的日期。 结果在超高频率设备显示在 graphene 的潜在。

这个研究由国家卫生研究所,国家科学基金会和海军研究美国办公室资助。

来源: http://www.ucla.ed

Last Update: 7. July 2012 06:07

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