Site Sponsors
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Graphene

Graphene 晶體管的新的可升級的製造技術

Published on July 7, 2012 at 4:44 AM

由意志 Soutter

加利福尼亞 Nanosystems 學院的研究員加州大學洛杉磯分校的以及從工程和應用科學和加州大學洛杉磯分校化學系加州大學洛杉磯分校亨利 Samueli 學校的研究員和生化開發了無損的生產的可升級的技術自對齊的 graphene 晶體管。

自的 alligning graphene 晶體管 (赊帳: 加州大學洛杉磯分校)

Graphene 從石墨派生并且是碳原子一個單一層狀結構。 其屬性使它一名理想的候選人運行作為晶體管實現更小和更加快速的電子設備的發展。

graphene 的大規模製造由電子設備和 graphene 的特別屬性減少的縮放比例妨礙。 當常規製造技術被使用的 graphene 製造時,那在電路導致問題例如序列阻力和寄生電容,當使用 graphene 的性能和格子形狀在這個進程中經常獲得損壞。 新的方法介入使用執行石版印刷,證言和銘刻的步驟和一個實際調用的進程的隨後的雇佣一個犧牲基體集成與 graphene 的模式。

這個方法鋪平無損,自對齊的 graphene 晶體管的道路有 400 MHz 截止頻率的,最高直到 graphene 晶體管的日期。 結果在超高頻率設備顯示在 graphene 的潛在。

這個研究由國家衛生研究所,國家科學基金會和海軍研究美國辦公室資助。

來源: http://www.ucla.ed

Last Update: 7. July 2012 06:07

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit