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La Nueva Técnica del Uno mismo-Ensamblaje Para Crear la Alto-Superficie-Densidad Quantum Puntea

Published on July 16, 2012 at 5:27 AM

Por la Voluntad Soutter

Un equipo de investigación que comprende la DRS. Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma y Masafumi Jo de la Unidad Fotónica de los Materiales del Instituto Nacional para la Ciencia Material está implicado en el revelado de una tecnología uno mismo-que ensambla sofisticada conocida como epitaxia de la gotita para los puntos del quantum del semiconductor.

Imagen Atómica del microscopio (AFM) de la fuerza de los puntos superficiales ultraaltos del quantum de la densidad formados reduciendo la cantidad de irradiación del galio a la capa monomolecular 3 en una temperatura del incremento de 30°C. Una densidad superficial ultraalta de 7,3 x 1011/cm2 fue lograda.

Los investigadores han desarrollado con éxito una tecnología uno mismo-que ensamblaba avanzada a los puntos del quantum del formulario con una densidad superficial de registro. Por Otra Parte, el punto uno mismo-ensamblado del quantum agrupa el photoluminescence potente emitido, que indica que la tecnología ideada se puede también utilizar para obtener calidad cristalina superior.

En esta tecnología, la utilización de un substrato de la alto-índice-superficie, la creación de la gotita del galio y la cristalización en la temperatura del cercano-cuarto y la supresión de la fusión de la gotita aumentando la cantidad suministrada del galio fueron introducidas en la formación de puntos del quantum del arseniuro de galio por epitaxia de la gotita. Así, el quantum uno mismo-ensamblado con éxito creado del arseniuro de galio de los investigadores puntea con la densidad superficial sin precedente de los 7.3x1011/cm2 en un sistema cedazo-correspondido con. También han encontrado que es posible restablecer los defectos formados durante la cristalización en la temperatura del cercano-cuarto aplicando habilidad en la técnica del tratamiento térmico para los puntos cristalizados del quantum, así la activação del quantum puntea para demostrar photoluminescence potente.

La epitaxia de la Gotita es la única técnica que facilita el uno mismo-ensamblaje del punto del quantum en sistemas cedazo-correspondidos con y proporciona a la ventaja macizo de apilado más número de capas del punto del quantum de la calidad superior mientras que conserva alta cristalinidad. Por Lo Tanto, el empaque apretado de los puntos ultraaltos del quantum del en-avión de la densidad sintetizados en esta investigación facilitará la formación extremadamente de materiales del punto del quantum de la alto-volumétrico-densidad, que son imposibles con la tecnología tradicional. Esta investigación pavimenta la manera de desarrollar los dispositivos electrónicos del rendimiento superior y ópticos punto-basados quantum.

Las conclusión del estudio han estado señaladas en la versión en línea de las Cartas de la Física Aplicada.

Fuente: http://www.nims.go.jp

Last Update: 16. July 2012 07:36

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