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Posted in | Nanomaterials | Nanobusiness

Sistemas del MOCVD de las Comisiones AIXTRON Dos de EpiGaN Nuevos Para Comercializar 6" Fulminantes GaN-en-Si

Published on July 18, 2012 at 5:08 AM

Por la Voluntad Soutter

AIXTRON ha señalado la instalación y encargar de dos nuevos sistemas del MOCVD que son capaces de operatorio en el múltiplo 6" o 8" configuración en el recurso especialmente diseñado avance de EpiGaN situado en Hasselt, Bélgica.

EpiGaN es una empresa de nueva creación produciendo el material epitaxial de los III-Nitruros. La compañía utilizará los reactores para la comercialización de 6" los fulminantes del GaN-en-Silicio para el uso en una variedad de dispositivos de la potencia y de la electrónica del RF y para el revelado de los fulminantes avanzados del GaN-en-Silicio de 200 milímetros. Las personas de soporte de servicio de AIXTRON Europa instalaron y encargaron los sistemas en el recurso.

El Director General de EpiGaN, el Dr. Marianne Germán declaró que la compañía es una barrena-fuera de IMEC. Después de la realización de su cartucho del financiamiento, la compañía estaba lista para desplegar el plan estratégico para el reconocimiento de capacidades de producción. La compañía y los AIXTRON han trabajado por años hacia el GaN-en-Si y basado en esta experiencia, los sistemas cerca acoplados del showerhead de AIXTRON son ideales cumplir los requisitos de la compañía. Las personas de EpiGaN tenían exposición a los sistemas del MOCVD de AIXTRON CCS cuando estaban en IMEC y habían release/versión en común varios papeles en el revelado de los fulminantes GaN-en-Si. La compañía cree que la integración de sus años de experiencia y de la tecnología de proceso avance de AIXTRON y el equipo dirigirán eficientemente los retos del alto voltaje los fulminantes de 200 milímetros GaN-en-Si.

La Electrónica de Potencia del Vicepresidente y del Program Manager de AIXTRON, el Dr. Frank Wischmeyer comentó que la compañía es feliz de colaborar con EpiGaN porque desarrolla los materiales, los procesos y el equipo para los fulminantes del GaN-en-Si de un área más grande.

Fuente: http://www.aixtron.com

Last Update: 18. July 2012 05:57

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