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Posted in | Nanomaterials | Nanobusiness

Systèmes Neufs de MOCVD des Commissions AIXTRON Deux d'EpiGaN Pour Commercialiser 6" Disques GaN-sur-SI

Published on July 18, 2012 at 5:08 AM

Par Volonté Soutter

AIXTRON a enregistré l'installation et la mise en service de deux systèmes neufs de MOCVD qui sont capables du fonctionnement dans le multiple 6" ou de 8" configuration à l'installation spécifique avancée d'EpiGaN située à Hasselt, Belgique.

EpiGaN est une compagnie de démarrage produisant le matériau épitaxial d'III-Nitrures. La compagnie emploiera les réacteurs pour la commercialisation de 6" des disques de GaN-sur-Silicium pour l'usage dans un grand choix des dispositifs d'alimentation électrique et d'électronique de RF et pour le développement des disques avancés de GaN-sur-Silicium de 200 millimètres. L'équipe de support après-vente d'AIXTRON l'Europe a installé et a mis en service les systèmes à l'installation.

Le Président Directeur Général d'EpiGaN, M. Marianne Germain a déclaré que la compagnie est une rotation-à l'extérieur d'IMEC. Après l'achèvement de son rond du financement, la compagnie était prête à déployer le régime stratégique pour l'établissement des capacités de production. La compagnie et les AIXTRON ont travaillé pendant des années vers GaN-sur-SI et basé sur cette expérience, systèmes étroitement accouplés de showerhead d'AIXTRON soyez idéal pour répondre aux besoins de la compagnie. L'équipe d'EpiGaN a eu l'exposition aux systèmes de MOCVD d'AIXTRON CCS quand ils étaient à IMEC et avait commun relâché plusieurs papiers sur le développement des disques GaN-sur-SI. La compagnie croit que l'intégration de ses années de technologie avancée de compétences et de la transformation d'AIXTRON et le matériel relèveront efficacement les défis de la haute tension des disques de 200 millimètres GaN-sur-SI.

Le Vice Président d'AIXTRON et l'Électronique De Puissance De Gestionnaire de Programme, M. Frank Wischmeyer ont commenté que la compagnie est heureuse de collaborer avec EpiGaN parce qu'elle développe des matériaux, des procédés et le matériel pour des disques de la plus grande zone GaN-sur-SI.

Source : http://www.aixtron.com

Last Update: 18. July 2012 05:55

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