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Posted in | Nanomaterials | Nanobusiness

Sistemi di MOCVD delle Commissioni AIXTRON Due di EpiGaN Nuovi Per Commercializzare 6" Wafer di GaN-su-Si

Published on July 18, 2012 at 5:08 AM

Dalla Volontà Soutter

AIXTRON ha riferito l'impianto e l'incarico di due sistemi nuovi di MOCVD che sono capaci di funzionamento nel multiplo 6" o di 8" configurazione alla funzione su misura avanzata di EpiGaN situata a Hasselt, Belgio.

EpiGaN è uno start-up producendo il materiale epitassiale dei III-Nitruri. La società utilizzerà i reattori per la commercializzazione di 6" wafer del GaN-su-Silicio per uso in varie unità di elettronica di RF e di potenza e per lo sviluppo dei wafer avanzati del GaN-su-Silicio da 200 millimetri. Il gruppo di sostegno di servizio di AIXTRON Europa ha installato ed incaricato i sistemi alla funzione.

Il Direttore Generale di EpiGaN, il Dott. Marianne Germain ha specificato che la società è una rotazione-fuori di IMEC. A Seguito del completamento del suo giro di finanziamento, la società era pronta a spiegare la pianificazione strategica per l'istituzione delle capacità di produzione. La società e i AIXTRON hanno lavorato per anni verso il GaN-su-Si e basato su questa esperienza, i sistemi vicino coppia della doccia di AIXTRON sono ideali da soddisfare le richieste della società. Il gruppo di EpiGaN ha avuto esposizione ai sistemi di MOCVD di AIXTRON CCS quando erano a IMEC ed insieme aveva rilasciato parecchi documenti sullo sviluppo dei wafer di GaN-su-Si. La società ritiene che l'integrazione dei sui anni di competenza e di tecnologia della trasformazione avanzata di AIXTRON e la strumentazione indirizzino efficientemente le sfide di alta tensione wafer di GaN-su-Si di 200 millimetri.

Il Vicepresidente di AIXTRON e l'Elettronica di Potenza di Program Manager, il Dott. Frank Wischmeyer hanno commentato che la società è felice di collaborare con EpiGaN perché sviluppa i materiali, i trattamenti e le attrezzature per i wafer di GaN-su-Si di più grande area.

Sorgente: http://www.aixtron.com

Last Update: 18. July 2012 05:56

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