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Posted in | Nanomaterials | Nanobusiness

Sistemas Novos do MOCVD das Comissões AIXTRON Dois de EpiGaN Para Comercializar 6" Bolachas do GaN-em-Si

Published on July 18, 2012 at 5:08 AM

Pela Vontade Soutter

AIXTRON relatou a instalação e a comissão de dois sistemas novos do MOCVD que são capazes do funcionamento no múltiplo 6" ou de 8" configuração na facilidade finalidade-construída avançada de EpiGaN situada em Hasselt, Bélgica.

EpiGaN é uma empresa start-up produzindo o material epitaxial dos Iii-Nitretos. A empresa utilizará os reactores para a comercialização de 6" bolachas do GaN-em-Silicone para o uso em uma variedade de dispositivos da potência e da eletrônica do RF e para a revelação de bolachas avançadas do GaN-em-Silicone de 200 milímetros. A equipe de serviço de apoio de AIXTRON Europa instalou e comissão os sistemas na facilidade.

O Director Geral de EpiGaN, Dr. Marianne Germano indicou que a empresa é uma rotação-para fora de IMEC. Depois da conclusão de seu círculo do financiamento, a empresa estava pronta para distribuir o plano estratégico para o estabelecimento de capacidades de produção. A empresa e os AIXTRON trabalharam por anos para o GaN-em-Si e baseado nesta experiência, os sistemas perto acoplados do showerhead de AIXTRON são ideais cumprir as exigências da empresa. A equipe de EpiGaN teve a exposição aos sistemas do MOCVD de AIXTRON CCS quando estavam em IMEC e tinha liberado comum diversos papéis na revelação de bolachas do GaN-em-Si. A empresa acredita que a integração de seus anos de experiência e da tecnologia de processamento avançada de AIXTRON e o equipamento endereçarão eficientemente os desafios da alta tensão bolachas do GaN-em-Si de 200 milímetros.

A Eletrônica de Potência do Vice-presidente e do Gestor de Programa de AIXTRON, Dr. Frank Wischmeyer comentou que a empresa está feliz colaborar com o EpiGaN porque desenvolve materiais, processos e equipamento para bolachas do GaN-em-Si da área maior.

Source: http://www.aixtron.com

Last Update: 18. July 2012 05:56

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