Pela Vontade Soutter
AIXTRON relatou a instalação e a comissão de dois sistemas novos do MOCVD que são capazes do funcionamento no múltiplo 6" ou de 8" configuração na facilidade finalidade-construída avançada de EpiGaN situada em Hasselt, Bélgica.
EpiGaN é uma empresa start-up produzindo o material epitaxial dos Iii-Nitretos. A empresa utilizará os reactores para a comercialização de 6" bolachas do GaN-em-Silicone para o uso em uma variedade de dispositivos da potência e da eletrônica do RF e para a revelação de bolachas avançadas do GaN-em-Silicone de 200 milímetros. A equipe de serviço de apoio de AIXTRON Europa instalou e comissão os sistemas na facilidade.
O Director Geral de EpiGaN, Dr. Marianne Germano indicou que a empresa é uma rotação-para fora de IMEC. Depois da conclusão de seu círculo do financiamento, a empresa estava pronta para distribuir o plano estratégico para o estabelecimento de capacidades de produção. A empresa e os AIXTRON trabalharam por anos para o GaN-em-Si e baseado nesta experiência, os sistemas perto acoplados do showerhead de AIXTRON são ideais cumprir as exigências da empresa. A equipe de EpiGaN teve a exposição aos sistemas do MOCVD de AIXTRON CCS quando estavam em IMEC e tinha liberado comum diversos papéis na revelação de bolachas do GaN-em-Si. A empresa acredita que a integração de seus anos de experiência e da tecnologia de processamento avançada de AIXTRON e o equipamento endereçarão eficientemente os desafios da alta tensão bolachas do GaN-em-Si de 200 milímetros.
A Eletrônica de Potência do Vice-presidente e do Gestor de Programa de AIXTRON, Dr. Frank Wischmeyer comentou que a empresa está feliz colaborar com o EpiGaN porque desenvolve materiais, processos e equipamento para bolachas do GaN-em-Si da área maior.
Source: http://www.aixtron.com