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Posted in | Nanomaterials | Nanobusiness

把 6" 商業化的 EpiGaN 委員會 AIXTRON 的二新的 MOCVD 系統 GaN 在 Si 薄酥餅

Published on July 18, 2012 at 5:08 AM

由意志 Soutter

AIXTRON 報告能够運行在多個 6" 的安裝和委任二個新的 MOCVD 系統或 8" 配置在哈瑟爾特位於的 EpiGaN 的提前的為特定目的建造的設備,比利時。

EpiGaN 是一家新運作公司導致 III 氮化物外延材料。 這家公司為商品化 6" 將使用反應器 GaN 在硅薄酥餅用於各種各樣的功率和 RF 電子設備和先進的 200 mm GaN 在硅薄酥餅的發展的。 AIXTRON 歐洲的服務支持小組安裝了并且委任了系統在這個設備。

EpiGaN 的總執行官,瑪麗安熱爾曼博士闡明,這家公司是 IMEC 空轉。 在其資助舍入的完成之後,這家公司準備部署生產能力的設置的有戰略意義的計劃。 公司和 AIXTRON 多年來往 GaN 在 Si 的從事了,并且基於此經驗, AIXTRON 緊密耦合的淋浴噴頭系統是理想符合公司的要求。 EpiGaN 小組有對 AIXTRON CCS MOCVD 系統的暴露,當他們在 IMEC 和共同地發行了在 GaN 在 Si 薄酥餅的發展的幾份文件。 這家公司相信其歲月的綜合化專門技術和 AIXTRON 的先進加工技術和設備將高效地解決高壓的挑戰 200 mm GaN 在 Si 薄酥餅。

AIXTRON 的副總統和程序管理器功率電子學,弗蘭克 Wischmeyer 博士評論這家公司是愉快與 EpiGaN 合作,因為它發展材料、進程和設備更大的區 GaN 在 Si 薄酥餅的。

來源: http://www.aixtron.com

Last Update: 18. July 2012 05:55

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