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Intel Investiert in ASML, um Helle Technologie EUV Voranzubringen

Published on July 25, 2012 at 7:34 AM

Durch Willen Soutter

Die Halbleiterindustrie arbeitet an der Entwicklung der kosteneffektiven Technik, um mikroskopische Merkmale auf Mikrochips zu ätzen. Die entscheidende Lösung könnte die extrem-ultraviolette Lithographie (EUV)technik sein, die Sehr-kurzwellenlänge Leuchte verwendet, um Merkmale zu ätzen, die vier Falten sind, die wenn sie mit vorhandenen Mikrochips feiner sind, verglichen werden. Jedoch benötigt die Industrie enorme Investition, die Physik-, Chemie- und Technikherausforderungen auszugleichen.

ASML-Einheiten machen EUV-Leuchte, indem sie Zinn in Plasma drehen. Kredit: ASML

Mikrochiphersteller, Intel machte eine Mitteilung am 9. Juli 2012, entsprechend der die Firma plant, eine Investition $4,1 Milliarde in ASML zu machen, ein Lithographiegerätenanbieter, der in Veldhoven, die Niederlande basiert wurde. Ein Viertel der Investition werden für Forschung und Förderung von EUV-Gerät verwendet.

Die Kleinsten Merkmale auf anwesenden Chips sind 22 nm herüber und werden tiefes UV-Licht mit herum 193 nm der Wellenlänge verwendend geätzt. Jedoch hat dieser Prozess seine eigenen Herausforderungen. Die Wellenlänge Zu Verkürzen ist die einzige Methode, zum von kleineren Merkmalen zu ätzen und eine 13,5 nm Wellenlänge muss Mikrochipfirmen aktivieren, Merkmals£5 nm zu erstellen. Jedoch hat diese drastische Verkürzung das Umdefinieren der Lichtquelle, der Masken, der Photoresists und der Optik hinter Lithographieanlagen zur Folge. Die Meisten Bauteile des Prozesses sind für Hauptsendezeit erhältlich; jedoch werden Probleme noch mit der Lichtquelle angetroffen.

Der Prozess muss in einem Vakuum, weil Leuchte mit kurzen Wellenlängen durch alle Materialien absorbiert wird, einschließlich Luft auftreten. Seit traditionellen Objektiven und Spiegeln kann Leuchte, Optikhersteller nicht führen, den Carl Zeiss alternative Auslegungen entwickeln muss. Jedoch sogar absorbieren diese speziellen Spiegel, die von 80 atomar glatte Silikon- und Molybdänschichten abwechselnd hergestellt werden, eine hohe Menge EUV-Leuchte, folglich muss die Leuchte hohe Helligkeit, entsprechend Jos Benschop haben, Senior-Vizepräsident ASMLS für Technologie.

Die Leistung der EUV-Quelle ist entscheidend, Kosten, weil das Aushärten zu verringern des Photoresists mehr Zeit nimmt, als die Leuchte dunkler ist. Benschop informierte sich, dass Handelsanlagen in der Lage sein müssen, 200 W zu erzielen und keine weniger als 100 Wafers pro Stunde zu kopieren. Zu diesem Zweck arbeitet ASML mit Cymer und XTREME-Technologien. Zum Beispiel vervollkommnet Cymer eine Anlage, die einen Laser 20-kW verwendet, um Zinntröpfchen in ein 500.000-Grad-Plasma zu sprengen, das EUV-Leuchte freigibt.

ASML ist wahrscheinlich, sein Ziel in ein paar Jahren zu erzielen. Intel gab an, dass vorhandene Technologie für zwei weitere Generationen von Mikrochips mit den kopierenden Schritten der Integration mit hohen Kosten und durch den Kauf von zusätzlichen Lithographiehilfsmitteln verwendet werden kann. Während ASML an der Entwicklung von ersten HandelsEUV-Lithographie-Hilfsmitteln mittlerweile arbeitet plant Intel, auf 450 mm-weite Wafers von den mm-weiten Siliziumscheiben des Geschenkes 300 für EUV-Lithographie zu verschieben und so stellt eine andere Herausforderung zu ASML dar. Diese Bewegung konnte die Zählung des simultanen Kopierens der Schaltungen durch Falte zwei erhöhen. Jedoch muss ASML ein neues Produktionshilfsmittel zu diesem Zweck planen. Intel wünscht dieses neue Hilfsmittel bis 2016.

Quelle: http://www.asml.com/

Last Update: 25. July 2012 08:23

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