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室温 Multiferroics を探索する新しい概念

Published on August 10, 2012 at 3:01 AM

G.P. 著トマス

および Rutherford の Appleton の実験室オックスフォード大学とともに材料 Nanoarchitectonics のための NIMS の国際的な中心から物質科学 (NIMS) のための各国用の協会で Quantum のビーム単位の中性子分散のグループから先生および (MANA) Yoshihiro Tsujimoto 先生によって Noriki Terada 導かれる調査チームは主として他の原子ことをと非磁気原子を取り替えることによって磁気材料の誘電体および磁気特性を制御することは可能であることを示しました。

multiferroics として知られていた磁気誘電体はメモリデバイスの新しい種類で電界が誘電性の分極および磁気フィールド制御の磁化を制御するか電界制御磁化および磁気フィールド制御の誘電性の分極、従来の技術に反対に使用できます。 先頃、科学者は室温で広大な ferroelectric 分極を示す multiferroic 材料を捜しました。 これらの材料が見つけてまれであるので新しい概念に基づいて新しい材料の開発は必要となります。

Terada 先生のチームは NIMS で delafossite の酸化物 CuFeO2 の非磁気 Cu イオンが Ag イオンと全く取替えられた、利用し磁界がない時 ferroelectric 分極を示すために新しい材料の機能を示しましたか高品質 AgFeO2 の標本を総合するのに超高度圧力統合装置を。 Rutherford の Appleton の実験室の調査チームとともに Terada 先生のチームは AgFeO2 の高リゾリューションの中性子回折法の調査を行ない、新しい材料の回転の構造および結晶構造を明らかにし、 ferroelectric 分極のメカニズムをはじめて明瞭にしました。

従ってこの作業は他の非磁気イオンによって delafossite の酸化物の非磁気イオンの置換を通して multiferroic 特性を得る可能性を示しま、 multiferroic 室温の調査に新しい考えを提供します。 この進歩は新しいエネルギー変換材料および次世代の大きい容量のメモリの開発で有用であることができます。

ソース: http://www.nims.go.jp

Last Update: 12. December 2013 16:50

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