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Posted in | Nanoelectronics

MIT 研究员由材料导致电子线路与 Graphene 相似

Published on August 27, 2012 at 2:31 AM

由意志 Soutter

Graphene 为其优越属性被称赞并且有是尝试许多研究的研究焦点扩大其应用以多种范围例如结构上的材料、光学和电子。

MoS2 平板结构。 当深青色原子表示钼时,黄色原子表示硫磺。 (赊帐: Wang 等 MIT)

然而最近研究表明单一层状 graphene 可能是可能的二维 (第 2) 材料全部的新的选件类的技巧以在应用的等于潜在。 一这样材料是二硫化钼 (MoS2),使用了作为行业润滑剂数十年。 当瑞士大学的 EPFL 研究员设计了从材料时的一支晶体管在 2011年材料首先被描述了以其二维形式。 MIT 研究员,尝试现在构想从 graphene 的电子线路许多年,在二维 MoS2 的概念锁上了。

MIT 研究员雇用化学气相沉积做大页 MoS2。 使用新的材料,这个小组发现更加容易开发一条电子线路的多种要素。 使用 graphene 主要缺点是它没拥有一个范围空白。 这妨碍其在是集成的对逻辑电路和存储设备的晶体管的使用。 与要求的横征暴敛的方法相对创建在 graphene 的范围空白, MoS2 自然拥有一个范围空白。 MoS2 是寻找 graphene 替代拥有 graphene 的理想的特性,不用其限制的研究员的解决方法。

某些电子设备 MIT 小组被制造在 MoS2 外面是与非门、变换器、环形振荡器和存储设备。 新的材料能结合以其他第 2 材料提升创新产品例如有嵌入电子、发光的墙壁和玻璃的衣物与固定显示屏。

来源: http://www.mit.edu

Last Update: 27. August 2012 04:19

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