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Posted in | Nanoelectronics

MIT 研究員由材料導致電子線路與 Graphene 相似

Published on August 27, 2012 at 2:31 AM

由意志 Soutter

Graphene 為其優越屬性被稱讚并且有是嘗試許多研究的研究焦點擴大其應用以多種範圍例如結構上的材料、光學和電子。

MoS2 平板結構。 當深青色原子表示鉬時,黃色原子表示硫磺。 (赊帳: Wang 等 MIT)

然而最近研究表明單一層狀 graphene 可能是可能的二維 (第 2) 材料全部的新的選件類的技巧以在應用的等於潛在。 一這樣材料是二硫化鉬 (MoS2),使用了作為行業潤滑劑數十年。 當瑞士大學的 EPFL 研究員設計了從材料時的一支晶體管在 2011年材料首先被描述了以其二維形式。 MIT 研究員,嘗試現在構想從 graphene 的電子線路許多年,在二維 MoS2 的概念鎖上了。

MIT 研究員雇用化學氣相沉積做大頁 MoS2。 使用新的材料,這個小組發現更加容易開發一條電子線路的多種要素。 使用 graphene 主要缺點是它沒擁有一個範圍空白。 這妨礙其在是集成的對邏輯電路和存儲設備的晶體管的使用。 與要求的橫徵暴斂的方法相對創建在 graphene 的範圍空白, MoS2 自然擁有一個範圍空白。 MoS2 是尋找 graphene 替代擁有 graphene 的理想的特性,不用其限制的研究員的解決方法。

某些電子設備 MIT 小組被製造在 MoS2 外面是與非門、變換器、環形振盪器和存儲設備。 新的材料能結合以其他第 2 材料提升創新產品例如有嵌入電子、發光的牆壁和玻璃的衣物與固定顯示屏。

來源: http://www.mit.edu

Last Update: 27. August 2012 04:19

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