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Posted in | Nanolithography

Tecnología de los Honores EUV de EUV Litho con la “Recompensa Excepcional de la Contribución”

Published on September 13, 2012 at 3:54 AM

Por G.P. Thomas

Tecnologías honradas Litho de EUV EUV con la “Recompensa Excepcional de la Contribución” en el Curso Internacional sobre la Litografía Ultravioleta (EUV) Extrema 2012 recibida por EUV Litho.

La recompensa fue presentada a las Tecnologías de EUV para sus ejecuciones tecnológicas e intelectuales durante los quince años pasados hacia el revelado de la infraestructura de la litografía de EUV. Según la Ley de Moore, el número medio de transistores integrados en una viruta duplicará cada 18 meses. La evolución de la tecnología de semiconductor conforme al adelanto dictado por la Ley de Moore es posible por el adelanto en litografía de EUV.

El Curso Internacional sobre la litografía de EUV es recibido cada año por EUV Litho basado fuera de Austin en Tejas. El objetivo del curso es proporcionar a un foro para la acción recíproca entre los protagonistas en el campo de la litografía de EUV. El curso De este año conducto a principios de junio en Maui en Hawaii. La Tecnología de EUV se considera ser el arranque de cinta global en herramientas de la Metrología de EUV. La compañía ha sido que dirigía y de entrega de los productos que abarcan casi todos los pasos de progresión implicados en el proceso del examen para la litografía de EUV. Los Clientes de las Tecnologías de EUV son compañías importantes del semiconductor a través del mundo tal como SEMATECH, Laboratorio Nacional de Lorenzo Livermore e IMEC. Ivan Pollentier de IMEC habló sobre Tecnologías de EUV en la ceremonia de Recompensas y exprimió el aprecio de su compañía diseños de las Tecnologías de EUV los' que son una combinación de la creatividad y del pensamiento lógico. Él también dijo que la herramienta se convirtió por las muescas de la compañía también en facilidad de manejo. Rupert Perera, el Presidente de la Tecnología de EUV, validó la recompensa.

Fuente: http://www.euvl.com/

Last Update: 12. December 2013 23:21

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