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El Descubrimiento Importante en Máscara de EUV Borra la Reducción del Defecto con el Sistema de Veeco IBD

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

Por Cameron Chai

SEMATECH, una asociación internacional del semiconductor que se esfuerza para avance la fabricación de la viruta del semiconductor con actividades de la investigación y desarrollo, señalada recientemente un descubrimiento importante en la reducción del defecto de la técnica de múltiples capas de la deposición adoptada para tramitar los espacios en blanco de la máscara que tienen aplicaciones en litografía ultravioleta extrema (EUVL).

SEMATECH logró la reducción importante del defecto empleando el Sistema Inferior de la Deposición del Haz de Ión de la Densidad del Defecto del NEXO (LDD IBD) desarrollado por los Instrumentos de Veeco.

Las máscaras de EUV son fabricadas utilizando las herramientas de la deposición del haz de ión. Una viruta es diseñada en un fulminante de semiconductor proyectando los modelos de la escala del nanómetro en la máscara de EUV en el fulminante de semiconductor. El proceso necesita el mando de defecto riguroso para las máscaras de EUV porque una máscara se podría utilizar durante su curso de la vida para modelar más de seis millones de virutas del semiconductor. Las generaciones Actuales y próximas de dispositivos movibles emplean virutas con geometrías más pequeñas y también las requieren ofrecer funcionamiento y potencia de alto nivel. Aquí es adonde las máscaras de EUV que incorporan tecnología avanzada entran en el retrato.

Dos aspectos críticos que regulan la generación de photomasks de la tecnología avanzada EUV para los procesos únicos así como de múltiples capas son control total sobre propiedades ópticas y niveles de partículas muy inferiores de la deposición. Los sistemas de IBD de la Instrumentación de Veeco facilitan la producción de tal película de alta calidad para las máscaras avanzadas de EUV.

Frank Goodwin, Gerente del programa de la Reducción del Defecto del Espacio En Blanco de la Máscara en SEMATECH, declaró que la tecnología de primera clase de IBD de Veeco era el media principal que activaron la deposición crítica de la película caracterizada por los niveles muy inferiores del defecto, y que cumple con los 22 requisitos de proceso del defecto del nanómetro para los espacios en blanco de la máscara de EUV.

Fuente: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:36

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