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Posted in | Nanofabrication

EUV マスクの主要な進歩は Veeco IBD システムとの欠陥の減少をブランクにします

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

カメロンシェ著

SEMATECH の研究開発の作業によって半導体チップ製造業を進めるように努力する最近極度な紫外石版印刷でアプリケーションがあるマスクのブランクを処理するために採用される多層沈殿技術からの欠陥の減少の重要な進歩を報告される国際的な半導体連合 (EUVL)。

SEMATECH は Veeco の器械によって開発された関連の低い欠陥の密度のイオンビームの沈殿 (LDD IBD) システムを用いることによって重要な欠陥の減少を達成しました。

EUV マスクはイオンビームの沈殿ツールの利用によって製造されます。 チップは半導体ウエハーで半導体ウエハーの EUV マスクでナノメーターのスケールパターンを写し出すことによって設計されています。 プロセスは 6以上 ,000,000 の半導体チップを模造するのに 1 つのマスクが一生の間に使用できるので EUV マスクのための厳しい欠陥制御を要します。 モバイル機器の現在および次の生成はより小さい幾何学のチップを用い、また高レベルパフォーマンスおよび力を特色にするように要求します。 これは先行技術を組み込む EUV マスクが映像に入って来るところです。

単一、また多層プロセスのための先行技術 EUV のフォトマスクの生成を支配する 2 つの重大な面は光学的性質の完全な制御および非常に低い微粒子の沈殿レベルです。 Veeco の器械使用からの IBD システムは高度 EUV マスクのためのそのような良質のフィルムの生産を促進します。

Veeco の一流 IBD の技術が非常に低い欠陥のレベルによって特徴付けられた重大なフィルムの沈殿を可能にした EUV マスクのブランクのための 22 の nm のプロセス欠陥の条件に従い主要な媒体だったことをフランク Goodwin、 SEMATECH のマスクのブランクの欠陥の減少プログラムのマネージャは、示しました。

ソース: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:35

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