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Posted in | Nanofabrication

A Descoberta Principal na Máscara de EUV Anula a Redução do Defeito com Sistema de Veeco IBD

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

Por Cameron Chai

SEMATECH, uma associação internacional do semicondutor que se esforce avançar a fabricação da microplaqueta do semicondutor com as actividades da investigação e desenvolvimento, relatada recentemente uma descoberta significativa na redução do defeito da técnica do depósito da multi-camada adotada para processar as placas da máscara que têm aplicações na litografia ultravioleta extrema (EUVL).

SEMATECH conseguiu a redução significativa do defeito empregando Sistema do Depósito do Feixe de Íon da Densidade do Defeito do NEXO o Baixo (LDD IBD) desenvolvido por Instrumentos de Veeco.

As máscaras de EUV são fabricadas utilizando ferramentas do depósito do feixe de íon. Uma microplaqueta é projectada em uma bolacha de semicondutor projetando os testes padrões da escala do nanômetro na máscara de EUV na bolacha de semicondutor. O processo necessita o controle de defeito estrito para as máscaras de EUV porque uma máscara poderia ser usada durante sua vida para modelar mais de seis milhão microplaquetas do semicondutor. As gerações Actuais e próximos de dispositivos móveis empregam microplaquetas com geometria menores e igualmente exigem-nas caracterizar o desempenho e a potência de nível elevado. Isto é o lugar aonde as máscaras de EUV que incorporam tecnologia avançada entram a imagem.

Dois aspectos críticos que governam a geração de photomasks da tecnologia avançada EUV para únicos assim como processos multilayer são controlo total sobre propriedades ópticas e níveis ínfimos muito baixos do depósito. Os sistemas do IBD da Instrumentação de Veeco facilitam a produção de tal filme de alta qualidade para máscaras avançadas de EUV.

Frank Goodwin, Gerente do programa da Redução do Defeito da Placa da Máscara em SEMATECH, indicou que a tecnologia de primeira classe do IBD de Veeco era o media principal que permitiram o depósito crítico do filme caracterizado por níveis muito baixos do defeito, e que segue com as 22 exigências do defeito do processo do nanômetro para placas da máscara de EUV.

Source: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:35

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