Posted in | Nanofabrication

Главный Прорыв в Маске EUV Прикрывает Уменьшение Дефекта с Системой Veeco IBD

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

Камероном Chai

SEMATECH, международная ассоциация полупроводника которая стремится выдвинуть изготавливание обломока полупроводника через деятельности при научных исследований и разработки, недавно сообщенная значительно прорыв в уменьшении дефекта от разнослоистого метода низложения принятого для того чтобы обрабатывать пробелы маски которые имеют применения в весьма ультрафиолетов литографировании (EUVL).

SEMATECH достигло значительно уменьшения дефекта путем использовать Систему Низложения Луча Иона Плотности Дефекта ЦЕПИ Низкую (LDD IBD) начатую Аппаратурами Veeco.

Маски EUV изготовлены путем использовать инструменты низложения луча иона. Обломок конструирован на вафле полупроводника путем проектировать картины маштаба нанометра на маске EUV на вафле полупроводника. Процесс требует строгое управление дефекта для маск EUV потому что одна маска смогла быть использована во время своей продолжительности жизни для того чтобы сделать по образцу больше чем 6 миллионов обломоки полупроводника. Настоящие и предстоящие поколения мобильных устройств используют обломоки с более малой геометрией и также требуют, что они отличают высокопоставленный представлением и силой. Это куда маски EUV включая передовую технологию приходят в изображение.

2 критических аспекта управляя поколением photomasks передовой технологии EUV для одиночных так же, как разнослоистых процессов полный контроль над оптически свойствами и очень низкие частичные уровни низложения. Системы IBD от Измерительного Оборудования Veeco облегчают продукцию такого высокомарочного фильма для предварительных маск EUV.

Откровенное Goodwin, Менеджер программы Уменьшения Дефекта Пробела Маски на SEMATECH, заявило что технология IBD Veeco первосортная было главным образом средством которое включили критическое низложение фильма, котор характеризуют очень низкие уровни отказов, и которое исполняет с 22 требованиями к дефекта nm отростчатыми для пробелов маски EUV.

Источник: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:36

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit