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在 EUV 屏蔽的专业突破删去与 Veeco IBD 系统的缺陷减少

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

卡梅伦柴

SEMATECH,竭力通过研究与开发活动提前半导体筹码制造的国际半导体关联,最近报告的在缺陷减少的重大的突破从采用的多层证言技术处理有应用在极其紫外石版印刷方面的屏蔽空白 (EUVL)。

SEMATECH 通过使用 Veeco 仪器开发的连结低缺陷密度离子束证言 (LDD IBD) 系统达到重大的缺陷减少。

EUV 屏蔽通过使用离子束证言工具制造。 筹码在半导体片被设计通过设想毫微米缩放比例模式在半导体片的 EUV 屏蔽。 因为一屏蔽可能用于在其一生期间仿造超过六百万个半导体筹码,这个进程需要 EUV 屏蔽的严密缺陷控制。 移动设备的当前和即将发布的生成使用与更小的几何的筹码并且要求他们以高级性能和功率为特色。 这是合并先进技术的 EUV 屏蔽进入这张照片的地方。

管理先进技术 EUV 光掩膜的生成唯一以及多层进程的二个重要方面是对光学性能的全面控制和非常低属于颗粒的证言级别。 从 Veeco 手段的 IBD 系统实现这样优质影片的生产先进的 EUV 屏蔽的。

弗兰克 Goodwin,屏蔽空白缺陷在 SEMATECH 的减少程序的经理,阐明, Veeco 的头等 IBD 技术是启用非常低缺陷级别描绘的重要影片证言,并且遵照 EUV 屏蔽空白的 22 个毫微米处理缺陷需求的主要媒体。

来源: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:33

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