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在 EUV 屏蔽的專業突破刪去與 Veeco IBD 系統的缺陷減少

Published on September 15, 2012 at 7:59 AM

卡梅倫柴

SEMATECH,竭力通過研究與開發活動提前半導體籌碼製造的國際半導體關聯,最近報告的在缺陷減少的重大的突破從採用的多層證言技術處理有應用在極其紫外石版印刷方面的屏蔽空白 (EUVL)。

SEMATECH 通過使用 Veeco 儀器開發的連結低缺陷密度離子束證言 (LDD IBD) 系統達到重大的缺陷減少。

EUV 屏蔽通過使用離子束證言工具製造。 籌碼在半導體片被設計通過設想毫微米縮放比例模式在半導體片的 EUV 屏蔽。 因為一屏蔽可能用於在其一生期間仿造超過六百萬個半導體籌碼,這個進程需要 EUV 屏蔽的嚴密缺陷控制。 移動設備的當前和即將發布的生成使用與更小的幾何的籌碼並且要求他們以高級性能和功率為特色。 這是合併先進技術的 EUV 屏蔽進入這張照片的地方。

管理先進技術 EUV 光掩膜的生成唯一以及多層進程的二個重要方面是對光學性能的全面控制和非常低屬於顆粒的證言級別。 從 Veeco 手段的 IBD 系統實現這樣優質影片的生產先進的 EUV 屏蔽的。

弗蘭克 Goodwin,屏蔽空白缺陷在 SEMATECH 的減少程序的經理,闡明, Veeco 的頭等 IBD 技術是啟用非常低缺陷級別描繪的重要影片證言,并且遵照 EUV 屏蔽空白的 22 個毫微米處理缺陷需求的主要媒體。

來源: http://www.veeco.com/

Last Update: 15. September 2012 08:33

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