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Posted in | Nanofabrication

SPTS Stellt Niedrigtemperatur-PECVD-Lösung für VerpackenAnwendungen 3D-IC vor

Published on September 21, 2012 at 3:55 AM

Durch Willen Soutter

SPTS-Technologien, die Firma, die den Wafer zur Verfügung stellt, der global Lösungen für den verpackenden Halbleiter aufbereitet, MEMS, Leistungsmanagementeinheitsmärkte und solche in Verbindung stehenden Märkte, hat eine Absetzungslösung des chemischen Dampfes der niedrigen Temperatur Plasma-erhöhte (PECVD) vorgestellt, die die Punkte über-aufdecken herein Passivierung oder nach-durch Silikon über das Aufbereiten (TSV) beim Verpacken von integrierten Schaltungen 3D anspricht.

Lösung SPTS PECVD für Niedrige Temperatur 3D-IC

Beschriftete die Delta fxP PECVD Anlage, die Lösung hat geprüft bereits seine Leistung in der Massenproduktion von 300 mm Fälschung. Die PECVD-Anlage zeigt Durchsätze zweimal die von vorhandenen Anlagen, während abgebende dielektrische Schichten auf Wafers zu den Transportunternehmern bei den Temperaturen kleiner als 2000C klebten.

Über-Decken Sie auf oder geben Sie TSV Aufbereiten bekannt, das im Anschluss an der Entstehung von TSV mit.einbezieht die Verringerung der Rückseite der Wafers durchgeführt wird, die vorübergehend zu einem Transportunternehmer geklebt werden, um die vias aufzudecken. Eine Legierung des Silikonnitrids und -oxids wird für Passivierung von über Spitzen eingesetzt und unterworfen dann Wiederverteilungsaufdampfen.

Der PECVD-Prozess stellt jedoch zwei Herausforderungen wegen der vorübergehenden Masseverbindung zwischen dem Wafer und dem Transportunternehmer gegenüber. Das erste man ist die Lieferung von festgelegten Passivierungseigenschaften bei den Wafertemperaturen unter 2000C, das notwendig ist, das vorübergehende Anleihe zu stützen. Der zweite Punkt ist die Behinderung zur Qualität des wachsenden PECVD-Filmes, resultierend aus Ausgasen des Masseverbindungsklebers innerhalb der PECVD-Unterdruckkammer. Die Delta fxP Anlage setzt die innovativen Prozess- und Kleinteillösungen ein, die durch STPS entwickelt werden, um TEOS-Oxide und -nitride abzugeben gekennzeichnet werden durch hohe Durchbruchsspannung oder niedrigen Leckagestrom unter niedrigen Wafertemperaturen. Ein integrierter Stapel Multi-Wafer Degas wird verwendet, um den Ausgasen Punkt anzusprechen. Produktivität wird durch Ausgasen mehrfache Wafers gleichzeitig erhöht.

Quelle: http://www.spts.com/

Last Update: 21. September 2012 04:18

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