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外延薄膜增长连贯地以最小的缺陷

Published on September 24, 2012 at 1:50 AM

G.P. 托马斯

橡树岭国家实验室研究小组顺利地生长了外延薄膜以最小的缺陷。 这些影片用于生产半导体和在纳米技术应用。 研究员发现了在可能导致改善相关能源材料、燃料电池和磁性传感器的辉钴矿的一种逃避张力放松现象。

正常基本的概要铁磁纳诺域形成了由于非常规的张力放松

Ho 能源部的 Nyung 李实验室的材料科学技术分部,导致这个小组,建议这个发现可能更改传统饰物允许在外延薄膜形成时强迫地是内在的张力介入结构上的缺陷。 研究员发现辉钴矿和其他这样材料结构上形成了是秩序井然的基本模式。 这些模式能修改他们的磁性并且也能在大小上减少他们的配错与这个水晶基体。

外延薄膜的创建介入一材料水晶层增长在别的。 在此进程期间,水晶结构必须彼此对齐。 缺陷发生在电影发展的过程中,并且这些可能严重地影响材料的性能。 困难存在于生长影片以最少量的缺陷。 研究员能观察镧辉钴矿的基本被定购的晶格结构以薄膜形式,但是不以晶形。

研究员使用 X-射线,光学分光学,并且扫描观察那导致象数据条的格子模式的生产的非常规的张力放松工作情况的透射电镜术。 这导致允许它为电池、传感器、表面催化剂和离子导体使用与磁性的材料。 查找提高使用材料的可能性人为调整的磁性。

这个研究在日记帐纳诺信函被发布了。

来源: http://www.ornl.gov/

Last Update: 12. December 2013 23:07

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