Site Sponsors
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Microscopy | Nanoanalysis

外延薄膜增長連貫地以最小的缺陷

Published on September 24, 2012 at 1:50 AM

G.P. 托馬斯

橡樹嶺國家實驗室研究小組順利地生長了外延薄膜以最小的缺陷。 這些影片用於生產半導體和在納米技術應用。 研究員發現了在可能導致改善相關能源材料、燃料電池和磁性傳感器的輝鈷礦的一種逃避張力放鬆現象。

正常基本的概要鐵磁納諾域形成了由於非常規的張力放鬆

Ho 能源部的 Nyung 李實驗室的材料科學技術分部,導致這個小組,建議這個發現可能更改傳統飾物允許在外延薄膜形成時強迫地是內在的張力介入結構上的缺陷。 研究員發現輝鈷礦和其他這樣材料結構上形成了是秩序井然的基本模式。 這些模式能修改他們的磁性并且也能在大小上減少他們的配錯與這個水晶基體。

外延薄膜的創建介入一材料水晶層增長在別的。 在此進程期間,水晶結構必須彼此對齊。 缺陷發生在電影發展的過程中,并且這些可能嚴重地影響材料的性能。 困難存在於生長影片以最少量的缺陷。 研究員能觀察鑭輝鈷礦的基本被定購的晶格結構以薄膜形式,但是不以晶形。

研究員使用 X-射線,光學分光學,并且掃描觀察那導致像數據條的格子模式的生產的非常規的張力放鬆工作情況的透射電鏡術。 這導致允許它為電池、傳感器、表面催化劑和離子導體使用與磁性的材料。 查找提高使用材料的可能性人為調整的磁性。

這個研究在日記帳納諾信函被發布了。

來源: http://www.ornl.gov/

Last Update: 12. December 2013 23:08

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit