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Posted in | Nanoanalysis

DoppelTräger FIB/SEM FEI Versa 3D Jetzt Mit Patentierter UniColore-Elektronenquelle

Published on September 26, 2012 at 5:46 AM

FEI-Firma (NASDAQ: FEIC), eine führende Instrumentierungsfirma, welche die Darstellungs- und Analyseanlagen für Forschung und Industrie, heute angekündigt zur Verfügung stellt, dass sie patentiertes UniColore hinzugefügt hat, (UC) monochromated Elektronenquelle zu seiner vielseitigen Anlage Versa 3D™ DualBeam™.

Anlage Versa 3D™ DualBeam™ FIB/SEM von FEI.

UC-Technologie verbessert die des DualBeams Fähigkeit zum Bildgeldstrafen-Oberflächendetail an den niedrigen Beschleunigungsspannungen, ohne seine analytische Leistung zu kompromittieren an den hohen Spannungen und an den Strahlströmen.

„Versa 3D ist jetzt das einzige DualBeam, zum der Schwachstromdarstellungsleistung einer monochromated FEG-Quelle mit der Vielseitigkeit und der Benutzerfreundlichkeit eines Nichtimmersion Objektivs zu kombinieren,“ angegebener Andre Mijiritskii, DirektornProdukt-Marketing für SEM und DualBeams, FEI-Material-Wissenschafts-Unternehmenseinheit. „Infolgedessen, kann sie hochauflösende Bilder des feinen Oberflächensonderkommandos auf der breitesten Reichweite der Probenmaterialien, einschließlich die nicht leitfähige, magnetische und Leichtelement Materialien und die großen oder sonderbaren geformten Proben zur Verfügung stellen. Das gleiche Instrument kann den hohen Strom und die Spannungen zur Verfügung stellen, die für schnelle, genaue Analyse benötigt werden. Das Nichtimmersion Objektiv bringt in längeren Arbeitsabständen gute Leistung, die sind besonders wertvoll für Analyse und automatisierte Prozeduren, wie Serienscheibe und Rekonstruktion 3D und TEM-Probenaufbereitung.“

Die UC-Quelle verbessert drastisch Darstellungsauflösung an den niedrigen Beschleunigungsspannungen, indem sie die Energie verringert, die unter Trägerelektronen ausgebreitet wird, die chromatische Abweichung verringert und den Träger ermöglicht, in eine kleinere Stelle auf die Beispieloberfläche gerichtet zu werden. Eine genug kleine Stelle, eine Bildauflösung und eine Empfindlichkeit Gegeben, aufzutauchen Sonderkommando werden weiter an den niedrigen Trägerspannungen durch die Reduzierung des Trägerdurchdringens und -c$zerstreuens erhöht. Schwachstromdarstellung kann Aufladungseffekte auch beseitigen, die Darstellung auf nicht leitfähigen Materialien behindern.

Das Versa 3D DualBeam wird mit einer hoch-konfigurierbaren Plattform konstruiert, um Abnehmern zu erlauben, die Fähigkeiten der Anlage ihren spezifischen Anforderungen anzupassen. Hochvakuum, Grobvakuum und Umweltrasterelektronenmikroskopie (ESEM)optionen liefern Dichte der breitesten Reichweite der Beispielbaumuster und -anwendungen.

Das Versa 3D DualBeam mit patentierter UC monochromated Elektronenquelle ist jetzt für die Einrichtung erhältlich. Die UC-Monochromatorleistung ist auch auf Titan™-Durchstrahlungselektronenmikroskop FEIS, Extremem Rasterelektronenmikroskop Hoher Auflösung Magellan™ und dem HELIOS NanoLab™ DualBeam™ erhältlich. Zu mehr Information besichtigen Sie bitte die FEI-Website.

Last Update: 26. September 2012 06:53

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