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新的顯微學技術監控并且控制在 Nanoscale 的蝕刻進程

Published on September 29, 2012 at 7:51 AM

由意志 Soutter

Lynford Goddard 教授導致的研究小組加百利 Popescu 和從伊利諾伊大學在與 nanoscale 解決方法時的實時開發耗費小的技術使用一种特殊顯微鏡銘刻在半導體表面的精美功能,當同時監控整個過程。

這是伊利諾伊大學的一個三維圖像徽標被銘刻到砷化鎵半導體,被採取在與監控在毫微米等級的蝕刻進程的一個新的顯微學技術的蝕刻期間。 橙色和紫色地區之間的高度區別是大約 250 毫微米。 (照片克里斯愛德華茲,貴族 Arbabi、加百利 Popescu 和 Lynford Goddard)

顯微鏡使用二個光束對圖像并且雕刻與非常高精度的地勢。 Goddard 通知這個概念在評定基礎上結構的高度的可能性,當光從不同的表面時獲釋反射。 銘刻費率可以取決於觀察在高度上的變化,使這個小組監控蝕刻進程。 這,反過來,使這個小組確定銘刻費率在空間間以及在時間間 在顯微鏡的視野內來臨的半導體片的每個地點。

掃描挖洞顯微學或基本強制顯微學現有的技術不能够監控在其進展的蝕刻進程。 新的技術是更加快速的,較不喧鬧,耗費小,并且純粹地光學,立即啟用整個薄酥餅監控而不是逐條地,无需涉及半導體表面。

除觀察這個進程的一種催化劑叫了光化學蝕刻,蝕刻進程以外,光作為。 用灰色的唯一模式要創建必需的功能,程度用於屏蔽發光光,是費時和消耗大的進程。 使用放映機,比較起來,在新的技術,灰色極譜圖像發光在蝕刻下的範例上,因而允許這個小組容易地和迅速地形成複雜模式,以及調整他們,每當要求通過更改放映機模式。

根據研究員,此方法顯露才華在碳 nanotubes 自裝配的實時監視或在計算機芯片的大規模的生產的錯誤監控。 它可能實現芯片製造商通過持續保證他們的設備的定標降低加工時間和費用。

來源: http://www.illinois.edu

Last Update: 29. September 2012 08:55

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