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Rice University Desarrolla Memorias de Computadora tridimensionales de Graphene y del Óxido de Silicio

Published on October 4, 2012 at 2:30 AM

Los Investigadores en Rice University son diseño transparente, dos-terminal, memorias de computadora tridimensionales en las hojas flexibles que muestran la promesa para la electrónica y las visualizaciones sofisticadas de las cargas-hacia arriba.

Usando graphene como terminales de la barra transversal, los investigadores de Rice University son siguientes a través en la investigación innovadora que muestra el óxido de silicio, uno de los materiales mas comunes sobre la Tierra, pueden ser utilizados como memoria de computadora segura. Las memorias son flexibles, transparentes y se pueden construir en configuraciones tridimensionales. Haber: Junio Yao/Rice University

La técnica basada en las propiedades del óxido de silicio, un descubrimiento de la transferencia del descubrimiento por el Arroz en 2008, fue señalada hoy en las Comunicaciones en línea de la Naturaleza del gorrón.

Las personas del Arroz llevadas por el Viaje y el físico Douglas Natelson de James del químico están haciendo los dispositivos de memoria resistentes altamente transparentes, no volátiles basados en la revelación que el óxido de silicio sí mismo puede ser un interruptor. Una corrida del voltaje a través de una hoja fina del óxido de silicio elimina los átomos de oxígeno lejos de un canal 5 nanómetros (billionths de un contador) de par en par, girándolo en el silicio metálico conductor. Con tensiones más bajas, el canal se puede después romper y reparar en varias ocasiones, sobre millares de ciclos.

Ese canal se puede leer como un “1" o “0,” que sea un interruptor, la unidad básica de las memorias de computadora. En 5 nanómetro, muestra promesa de ampliar la Ley de Moore, que predijo que conjunto de circuitos del ordenador duplicará en potencia cada dos años. La electrónica avanzada Actual se hace con 22 circuitos del nanómetro.

La investigación de T.T. y de W.F. Chao Chair en Química así como profesor del Viaje, del Arroz de la ingeniería industrial y de la ciencia material y de informática; autor importante Junio Yao, estudiante de tercer ciclo anterior en el Arroz y ahora un investigador postdoctoral en Harvard; Jian Lin, investigador postdoctoral del Arroz, y sus memorias de los detalles de los colegas que son el 95 por ciento de transparente, hecho de las terminales del graphene del óxido y de la barra transversal de silicio en el plástico flexible.

El laboratorio del Arroz está haciendo sus dispositivos con un rendimiento de trabajo del cerca de 80 por ciento, “que es bastante bueno para un laboratorio no-industrial,” el Viaje dijo. “Cuando usted consigue estas ideas en las manos de las industrias, lo afilan realmente hacia arriba de allí.”

Los Fabricantes que han podido ahora ajustar millones de dígitos binarios en los pequeños dispositivos como memorias Flash se encuentran el topar contra los límites físicos de sus configuraciones actuales, que requieren tres terminales para cada dígito binario.

Pero la unidad del Arroz, requiriendo solamente dos terminales, lo hace complicadas lejos menos. Significa que las matrices de memorias de la dos-terminal se pueden empilar en las configuraciones tridimensionales, aumentando sumamente la cantidad de información que un chip de memoria pudo llevar a cabo. El Viaje dijo que su laboratorio también ha visto la promesa para hacer las memorias pluriestatales que aumento posterior su capacidad.

El descubrimiento de Yao siguió el trabajo en el Arroz en las memorias grafítico-basadas en las cuales los investigadores vieron cintas del grafito en un substrato del óxido de silicio romperse y curar cuando el voltaje era aplicado. Yao sospechó que el óxido de silicio subyacente era real responsable, y él luchó para convencer a sus colegas del laboratorio. “Junio continuó reservado su trabajo y lo empiló encima de las pruebas, construyendo eventual un dispositivo de trabajo sin el grafito,” el Viaje dijo. ¡“Y, otros dijeron, “Oh, seguía siendo carbón exógeno en el sistema que lo hizo! “Entonces él lo construyó sin la exposición al carbón en la viruta.”

El papel de Yao que detallaba el mecanismo del óxido de silicio apareció en los Partes Científicos de la Naturaleza en enero.

Su revelación se convirtió en la base para las memorias de la siguiente-generación que eran diseñadas en el laboratorio del Viaje, en donde las personas están construyendo memorias fuera de los óxidos de silicio intercalados entre el graphene - cintas uno-átomo-gruesas del carbón - y asociados a las hojas plásticas. No hay una mota del metal en la unidad entera (a excepción de los terminales de componente asociados a los electrodos del graphene).

El matrimonio del silicio y del graphene ampliaría el utilitario largo-reconocido del primer y probar de una vez por todas el valor del segundo, importunado de largo como material de la maravilla que buscaba una razón para ser, el Viaje dijo. Él observó el potencial de la demostración de los dispositivos no sólo para los dispositivos radiación-endurecidos - varios construidos en el Arroz ahora se están evaluando en la Estación Espacial Internacional - pero también soporta calor hasta cerca de 700 grados de Cent3igrado. Eso significa que pueden ser montados directamente encima de procesadores integrados sin mal efectos.

El laboratorio también está construyendo memorias de la barra transversal con los diodos embutidos para manipular mejor voltajes del mando, el Viaje dijo. “Hemos estado desarrollando esto despacio para entender los mecanismos fundamentales de la transferencia,” él dijo. Las “Industrias han volado hacia adentro y observado la, pero estamos haciendo ciencia básica aquí; no empaquetamos las cosas agradables y bonitas, tan qué ven las miradas rudimentarias.

“Solamente esto ahora transitioning en un sistema aplicado que se podría tomar bien como sistema de memoria futuro,” él dijo.

Fuente: http://www.rice.edu/

Last Update: 11. October 2013 08:42

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