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Posted in | Nanoelectronics

AUF Halbleiter Arbeiten imec zusammen, um GaN-auf-Si Starkstromgeräte Zu Entwickeln

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

AUF Halbleiter hat ein erster globaler Lieferant von Hochleistungssilikonlösungen für Energiesparende Elektronik, sich dem multipartner-, industriellen Forschung und Entwicklung Programm am imec, ein führendes nanoelectronics Forschungszentrum angeschlossen, um auf der Entwicklung des zukünftigen Gallium-Nitrids (GaN) auf Silikon (Si)Starkstromgeräten zusammenzuarbeiten.

GaN wird durch überlegene Elektronenbeweglichkeit, höhere Durchbruchsspannung und gute Wärmeleitfähigkeitseigenschaften gekennzeichnet und macht es Ideal für Leistungs- und Hochfrequenz (RF)einheiten, die Hochschaltung Leistungsfähigkeit benötigen. Heute sind GaN-basierte Starkstromgeräte für umfangreiche Herstellung zu teuer, da sie auf Wafers mit kleinem Durchmesser unter Verwendung der nichtstandardisierten Produktionsverfahren fabriziert werden.

Imecs Breitschuppe Forschungsprogramm wird auf sich entwickelnde GaN-auf-Si Technologie auf 200 mm-Wafers gerichtet sowie verringernd die Kosten und verbessernd die Leistung von GaN-Einheiten. Indem sie führende integrierte Einheitshersteller zusammenbrachten (IDMs), ist Gießereien, Verbindungshalbleiterfirmen, Ausrüster und Substratflächenlieferanten, imec erfolgreich gewesen, wenn sie beträchtliche technische Förderungen erzielten.

letztes Jahr produzierte das Forschungsprogramm der imecs erfolgreich 200 mm-GaN-auf-Si Wafers und holte, innerhalb der Reichweite für Standard-hochproduktivität 200 mm-fabs aufbereitend. Außerdem entwickelte imec einen Fälschungsprozeß, der mit Standard-CMOS-Prozessen und Hilfsmitteln, die zweite Voraussetzung für das kosteneffektive Aufbereiten kompatibel ist.

„Als Top 20 globaler Halbleiterlieferant mit einem Effektenbestand gerichtet auf Energiesparende Einheiten, AUF Halbleiter hat GaN-Silikontechnologien für einige Jahre erforscht und momentan eine GaN-Produktlinie in seinem Oudenaarde-Teildienst in Belgien aufbaut,“ sagte Hans-Storch-, -Senior-Vizepräsident- und -leitertechnologieoffizier (CTO) AUF am Halbleiter. „Das Zusammentun mit imec hilft, unsere aktuelle Marktstellung zu verstärken und uns möglicherweise zu unterstützen, wenn es eine wettbewerbsfähige Spitzentechnologie unseren Abnehmerzubringern hinzufügt. Wir freuen uns, mit einem breiten Konsortium von gleich gesinnten Firmen auf vorausschauender Forschung auf diesem Gebiet zusammenzuarbeiten.“

Entsprechend Rudi Cartuyvels, Vizepräsident von intelligenten Anlagen und von Energietechnologie am imec: „Außerordentliche Entwicklungen fahren fort, von unserem GaN-auf-Si Verbindungs-Programm aufzutauchen und erstellen weitere Überfälle, um hinunter Produktionskosten zu treiben. Der neueste Zusatz, AUF des Halbleiters als strategischer Programmpartner, fördern Fortschritte unsere Kollektivsachkenntnis. Aufnahme- Von Fremdmittelngemeinsame bemühungen helfen uns, die folgende Hürde in Richtung zur wirtschaftlichen Volumenherstellung auszugleichen und schließlich holen GaN-Starkstromgeräte zum Markt.“

Quelle: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:38

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