Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
Posted in | Nanoelectronics

EN el Semiconductor, el imec Colabora Para Desarrollar los Dispositivos de Potencia GaN-en-Si

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

EN el Semiconductor, un surtidor global primero de las soluciones del silicio del alto rendimiento para la electrónica económica de energía, ha ensamblado el programa multisocio, industrial de la investigación y desarrollo en el imec, un centro de investigación de cabeza del nanoelectronics, para colaborar en el revelado del Nitruro del Galio de la siguiente-generación (GaN) en los dispositivos (Si) de potencia del Silicio.

GaN es caracterizado por movilidad de electrón superior, un voltaje de ruptura más alto y buenas propiedades de la conductividad térmica, haciéndole el ideal para los dispositivos de la potencia y (RF) de la radiofrecuencia que necesitan eficiencias de la alto-transferencia. Hoy, los dispositivos de potencia GaN-basados son demasiado costosos para la fabricación de gran capacidad, pues se fabrican en los fulminantes de diámetro bajo usando procesos de producción anticonvencionales.

El programa de investigación de la amplio-escala de Imec se centra en desarrollar la tecnología GaN-en-Si en los fulminantes de 200 milímetros, así como reducir el costo y mejorar el funcionamiento de los dispositivos de GaN. Reuniendo fabricantes integrados de cabeza del dispositivo (IDMs), las fundiciones, las compañías del semiconductor compuesto, los surtidores del equipo y los surtidores del substrato, imec han sido acertados en lograr adelantos técnicos importantes.

el año pasado, el programa de la investigación de los imec produjo con éxito los fulminantes de 200 milímetros GaN-en-Si, trayendo tramitando dentro del alcance para la alto-productividad estándar fabs de 200 milímetros. Por Otra Parte, el imec desarrolló un proceso de la fabricación compatible con los procesos estándar y las herramientas, el segundo requisito previo del CMOS para el tramitación de poco costo.

“Como surtidor global del semiconductor 20 superiores con una cartera centrada en los dispositivos económicos de energía, El Semiconductor ha estado investigando las tecnologías del silicio de GaN por varios años y está empleando actualmente una línea de transformación de GaN en su recurso de Oudenaarde en Bélgica,” dijo la Cigüeña de Hans, el vicepresidente y al oficial de la tecnología del jefe (CTO) en EN el Semiconductor. El “Partnering con el imec ayudará a fortalecer nuestra posición actual del mercado y potencialmente a ayudarnos en agregar una tecnología marginal competitiva a nuestras ofrendas del cliente. Observamos hacia adelante a la colaboración con un consorcio amplio de compañías de opinión similar en la investigación moderna en este campo.”

Según Rudi Cartuyvels, vicepresidente de sistemas y de la tecnología de energía elegantes en el imec: Los “progresos Extraordinarios continúan emerger de nuestro Programa de la Afiliación GaN-en-Si, creando otras incursiones para impulsar abajo de costos de producción. La adición más reciente, EN de Semiconductor como socio estratégico del programa, fomenta avances nuestra experiencia colectiva. Esfuerzos conjuntos del Leveraging nos ayudarán a vencer el obstáculo siguiente hacia la fabricación económica del volumen, trayendo final los dispositivos de potencia de GaN al mercado.”

Fuente: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:40

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit