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SUR le Semi-conducteur, l'imec Collaborent Pour Développer des Dispositifs d'Alimentation Électrique GaN-sur-SI

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

SUR le Semi-conducteur, un fournisseur global premier des solutions de silicium de haute performance pour l'électronique de rendement optimum, a joint le programme à partenaires multiples et industriel de recherche et développement à l'imec, un principal centre de recherche de nanoelectronics, pour collaborer sur le développement de la Nitrure de la deuxième génération de Galliums (GaN) sur des dispositifs (Si) d'alimentation électrique de Silicium.

GaN est caractérisé par mobilité des électrons supérieure, tension claque plus élevée et bonnes propriétés de conduction thermique, lui effectuant l'idéal pour les dispositifs d'alimentation électrique et (RF) de radio frequency qui ont besoin des efficiences de haut-commutation. Aujourd'hui, les dispositifs d'alimentation électrique GaN-basés sont trop chers pour la fabrication de large volume, car ils sont fabriqués sur les disques de faible diamètre utilisant des procédés de production non standard.

Le programme de recherche de la grand-échelle d'Imec est concentré sur développer la technologie GaN-sur-SI sur des disques de 200 millimètres, ainsi que réduire le coût et améliorer la performance des dispositifs de GaN. En rassemblant les constructeurs d'appareils intégrés aboutissants (IDMs), les fonderies, les compagnies de semi-conducteur composé, les fournisseurs de matériel et les fournisseurs de substrat, imec a été réussi en réalisant les avancements techniques significatifs.

l'année dernière, le programme de recherche des imec a avec succès produit des disques de 200 millimètres GaN-sur-SI, portant traitant dans l'extension pour la haut-productivité normale des fabs de 200 millimètres. D'ailleurs, l'imec a développé un procédé de fabrication compatible avec les procédés normaux de CMOS et les outils, le deuxième préalable au traitement rentable.

« En Tant Que 20 principaux fournisseur global du semi-conducteur avec un portefeuille concentré sur les dispositifs de rendement optimum, SUR le Semi-conducteur avait recherché des technologies de silicium de GaN pendant plusieurs années et établit actuellement une chaîne de fabrication de GaN dans son dextérité d'Oudenaarde en Belgique, » a dit la Cigogne de Hans, le vice-président principal et le responsable d'officier de technologie (CTO) à SUR le Semi-conducteur. « Partnering avec l'imec aidera à renforcer notre situation du marché actuelle et à nous aider potentiellement en ajoutant une technologie de pointe compétitive à nos offres d'abonnée. Nous attendons avec intérêt de collaborer avec un consortium grand de compagnies semblables sur la recherche tournée vers l'avenir dans ce domaine. »

Selon Rudi Cartuyvels, vice président des systèmes et de la technologie énergétique intelligents à l'imec : « Les développements Extraordinaires continuent à apparaître de notre Programme de l'Affiliation GaN-sur-SI, produisant d'autres incursions pour entraîner une réduction des coûts de production. L'ajout le plus neuf, de SUR le Semi-conducteur en tant qu'associé stratégique de programme, promeuvent des avances nos compétences collectives. Les efforts conjoints d'Admission des fonds de tiers nous aideront à surmonter le prochain saut vers la fabrication économique de volume, portant éventuel des dispositifs d'alimentation électrique de GaN au marché. »

Source : http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:38

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