Site Sponsors
  • Strem Chemicals - Nanomaterials for R&D
  • Park Systems - Manufacturer of a complete range of AFM solutions
  • Oxford Instruments Nanoanalysis - X-Max Large Area Analytical EDS SDD
Posted in | Nanoelectronics

在半导体, imec 合作发展 GaN 在 Si 功率设备

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

在半导体,高性能省能源的电子的硅解决方法的首要的全球供应商,在下一代镓氮化物 (GaN) 的发展连接多个合伙人,行业研究与开发程序在 imec,主导的 nanoelectronics 研究中心,合作在硅 (Si)功率设备。

GaN 描绘的是为优越电子迁移率、更高的击穿电压和好导热性属性,做它需要高切换效率 (RF)的功率和无线电频率设备的理想。 今天,使用非标准生产过程,因为他们在小直径薄酥饼被制造基于 GaN 的功率设备为大容量的制造是太消耗大的。

Imec 的清楚缩放比例研究方案集中于开发 GaN 在 Si 在 200 mm 薄酥饼的技术,以及减少费用和改进 GaN 设备性能。 通过带来主导的集成设备制造商 (IDMs),铸造厂、化合物半导体公司、设备供应商和基体供应商, imec 是成功的在达到重大的技术推进。

去年, imec 的研究方案顺利地生产了 200 mm GaN 在 Si 薄酥饼,带来处理在标准高生产率的伸手可及的距离内 200 mm fabs。 而且, imec 开发了制造进程与标准 CMOS 进程和工具,第二个前提兼容对于有效处理。

“作为有于省能源的设备集中的投资组合的一个名列前茅 20 全球半导体供应商,在半导体在其 Oudenaarde 设备研究 GaN 硅技术几年和目前建立 GaN 生产流水线在比利时”,技术军官说汉斯鹳、资深副总裁和院长 (CTO)在半导体的。 “成为伙伴与 imec 将帮助巩固我们的当前市场地位和可能地协助解决我们在添加竞争前进技术到我们的客户课程。 我们盼望合作与志趣相投的公司一个清楚的财团在向前看的研究的对此域”。

根据鲁迪 Cartuyvels,聪明的系统和能源技术的副总统在 imec : “非常发展继续从我们的 GaN 在 Si 加入程序涌现,创建进一步突袭压低生产成本。 最新的添加,在作为一个有战略意义的程序合作伙伴的半导体,促进预付款我们集体的专门技术。 利用的共同努力将帮助我们解决下个障碍往经济数量制造,根本地带来 GaN 功率设备给这个市场”。

来源: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:37

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit