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Posted in | Nanoelectronics

在半導體, imec 合作發展 GaN 在 Si 功率設備

Published on October 6, 2012 at 2:45 AM

在半導體,高性能省能源的電子的硅解決方法的首要的全球供應商,在下一代鎵氮化物 (GaN) 的發展連接多個合夥人,行業研究與開發程序在 imec,主導的 nanoelectronics 研究中心,合作在硅 (Si)功率設備。

GaN 描繪的是為優越電子遷移率、更高的擊穿電壓和好導熱性屬性,做它需要高切換效率 (RF)的功率和無線電頻率設備的理想。 今天,使用非標準生產過程,因為他們在小直徑薄酥餅被製造基於 GaN 的功率設備為大容量的製造是太消耗大的。

Imec 的清楚縮放比例研究方案集中於開發 GaN 在 Si 在 200 mm 薄酥餅的技術,以及減少費用和改進 GaN 設備性能。 通過帶來主導的集成設備製造商 (IDMs),鑄造廠、化合物半導體公司、設備供應商和基體供應商, imec 是成功的在達到重大的技術推進。

去年, imec 的研究方案順利地生產了 200 mm GaN 在 Si 薄酥餅,帶來處理在標準高生產率的伸手可及的距離內 200 mm fabs。 而且, imec 開發了製造進程與標準 CMOS 進程和工具,第二個前提兼容對於有效處理。

「作為有於省能源的設備集中的投資組合的一個名列前茅 20 全球半導體供應商,在半導體在其 Oudenaarde 設備研究 GaN 硅技術幾年和目前建立 GaN 生產流水線在比利時」,技術軍官說漢斯鸛、資深副總裁和院長 (CTO)在半導體的。 「成為夥伴與 imec 將幫助鞏固我們的當前市場地位和可能地協助解決我們在添加競爭前進技術到我們的客戶課程。 我們盼望合作與志趣相投的公司一個清楚的財團在向前看的研究的對此域」。

根據魯迪 Cartuyvels,聰明的系統和能源技術的副總統在 imec : 「非常發展繼續從我們的 GaN 在 Si 加入程序湧現,創建進一步突襲壓低生產成本。 最新的添加,在作為一個有戰略意義的程序合作夥伴的半導體,促進預付款我們集體的專門技術。 利用的共同努力將幫助我們解決下個障礙往經濟數量製造,根本地帶來 GaN 功率設備給這個市場」。

來源: http://www.onsemi.com/

Last Update: 6. October 2012 08:38

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