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Posted in | Nanoanalysis
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균열 끝의 중국 연구원 연구 결과 Nano 가늠자 개악

Published on October 10, 2012 at 5:20 AM

물자의 골절은 구조상기도 하고 기능적인 물자를 위한 아주 중요한 문제점입니다. 균열 끝 행동은 골절 기계공에 있는 기본적인 문제 중 입니다. 많은 이론 및 실험적인 수사는 균열 끝 개악 필드의 효력을 이해하기 위하여 실행되었습니다.

이것은 보여줍니다: (a) 단 하나 결정 실리콘에 있는 미소 균열의 TEM 밝 필드 심상; (b) 균열 끝 (숫자 아)의 HRTEM 심상에 있는 상자에 넣어진 지역; (c) 균열 끝의 층밀리기 변형 필드; 그리고 (d) 균열 비행기에 긴장 거리 곡선. 크레딧: ©Science 중국 압박

그러나, 균열 끝의 주위에 긴장 필드의 직접 nanoscale 측정은 연구의 많은 년에도 불구하고 아직, 달성되지 않았습니다. 기술의 내몽고 대학에서 Zhao ChunWang와 Xing YongMing 교수는 이 문제를 다루기 위하여 착수했습니다. 그(것)들은 고해상도 전송 전자 현미경 검사법 및 기하학적인 단계 분석 (HRTEM)의 조합을 채택하고 (GPA) 균열 끝의 가까운 원자 가늠자 긴장 필드를 지도로 나타냈습니다. "단 하나 결정 실리콘에 있는 균열 끝의 nanoscale 개악 필드의 정량 분석이라고" 표제 그들의 일은 과학 중국 물리학, 기계공 & 천문학에서, 간행되었습니다. 2012년, Vol. 55(6).

물자의 골절이 우리의 매일 경험의 일부분이더라도, 이해된 프로세스는 좋이 아닙니다. 물자의 골절의 효력은 거시적인 가늠자에 명백합니다, 그러나 그 같은 실패로 이끌어 내는 골절의 역동성은 소규모에 물자의 행동에 의해 완전히 제어됩니다. 균열 끝의 개악 필드는 양이 많은 심상 분석 방법의 발달 때문에 nanoscale에 개악 필드 측정을 위한 점점 강력한 공구가 되고 있는 HRTEM를 사용하여 검토되었습니다. 1개의 그 같은 기술은 탈구 양 점, nanowires, nanoparticles, 헤테로 구조체, 낮 각 결정 입자 경계, 등등과 같은 다양한 시스템에 적용된 GPA입니다. 현재 일은 단 하나 결정 실리콘에 있는 최빈값 II 균열의 HRTEM 수사를 제출했습니다. 첫째로, 단 하나 결정 실리콘에 있는 미소 균열은 낮은 확대 (아) 숫자의 밑에 TEM를 사용하여 찾아냈습니다. 둘째로, 균열 끝은 찾아내고 더 높은 확대 HRTEM 심상은 장악되었습니다 (숫자 b). 셋째로, GPA 방법은 HRTEM 심상 (c) 숫자에서 균열 끝 지역의 긴장 필드를 지도로 나타내기 위하여 채택되었습니다. HRTEM 심상이 가까운 원자 가늠자에 있기 때문에, 긴장 지도는 가까운 원자 가늠자에 또한 있습니다. 측정은 균열 끝에 긴장이 순수한 층밀리기 변형이었다는 것을 보여주었습니다, 이렇게 미소 균열은 때문에 최빈값 II 균열 확인되고기. 마지막으로, 균열 비행기에 실험적인 긴장 가치는 선형 탄력 있는 골절 기계공 (d) 숫자에게서 이론적인 예측과 추출되고 비교되었습니다. 비교는 균열 끝에서 1 까지 nm가 이론적인 예측과 균열 비행기에 실험적인 결과에 의하여 일치한다는 것을 보여줍니다.

지금까지는, 미소 균열에 대한 실험적인 연구는 다양한 가늠자에 개시, 연장 및 형태학에 주로 집중했습니다. Zhao ChunWang와 그의 단 교수는 균열 끝의 nanoscale 개악 필드의 정량 분석을 개척하고 아주 소규모에 균열 끝의 개악을 분석하기 위하여 효과적인 방법을 개발했습니다. HRTEM의 추가 발달로, 원자 가늠자에 개악 필드의 측정 그리고 분석은 가능하게 될 것입니다. 균열 끝 앞서서 원자 접합과 원자 운동은 또한 양이 많게 분석될 수 있습니다.

이것은 골절 기계공의 최근 역사에 있는 중요한 발달입니다. 연구원은 그들의 일에 있는 다음 단계가 추가 물자를 검토하고 동적인 균열 끝의 개악 필드를 측정하는 것을 또한 시도하기 위한 것이다는 것을 건의합니다. 이 미래 노력은 기계공과 물자 물리학을 골절하는 중요한 후원 일 것입니다.

근원: http://www.imut.edu.cn

Last Update: 10. October 2012 06:24

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