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Posted in | Nanobusiness

臺灣積體電路製造公司提供支持 20 毫微米和 CoWoS 的參考流

Published on October 10, 2012 at 5:40 AM

臺灣積體電路製造公司今天宣佈了 20nm 和 CoWoS™設計技術支持的準備在開放創新 Platform® 內的 (OIP)由支持 20nm 和 CoWoS™ (在薄酥餅的籌碼在基體) 技術的二鑄造廠第一參考流發運展示。

使用證明的設計流,臺灣積體電路製造公司的 20nm 參考流 (DPT)啟用雙仿造的技術設計。 導致的 EDA 供營商的工具通過合併 DPT 意識位置合格與臺灣積體電路製造公司 20nm 加工技術一起使用和途徑、規定期限、實際核實和設計製造的 (DFM)。 使多彀子綜合化支持高帶寬的新的硅被驗證的 CoWoS™參考流,低功率可能快速地達到定期對 3D 集成電路設計的市場。 CoWoS™流通過給他們使用存在也有益於設計員,從導致 EDA 供營商的主流工具。

「這些參考流允許設計員對臺灣積體電路製造公司的提前的 20nm 的訪問,并且 CoWoS 技術」, Cliff Hou 博士副總統,說 R&D 的臺灣積體電路製造公司。 「傳送提前一樣早期硅和的製造技術和完全地儘可能對我們的客戶臺灣積體電路製造公司和其 OIP 設計生態系合作夥伴的一個首要目標」。

20nm 參考流

臺灣積體電路製造公司的 20nm 參考流使 20nm 設計以 DPT 意識功能減少設計複雜和提供必需的準確性。 DPT 啟動包括前著色功能、新的 RC 提取方法、 DPT 停止工作,實際核實和 DFM。 另外,臺灣積體電路製造公司和其生態系合作夥伴設計 20nm DPT 標準的 IP 能加速 20nm 處理採用。

CoWoS™參考流

CoWoS™參考流啟用 3D 集成電路多彀子綜合化。 新的 CoWoS™參考流允許與 3D 集成電路的一個平抑物價與在現有的方法上的最小的變化。 它包括位置的爆沸、填充、互聯和 C4 爆沸管理和運輸路線; 創新組合爆沸結構; 準確提取和信號完整分析對高速互聯在彀子之間; 從包裝的籌碼的熱分析對系統; 并且彀子級和堆積級的測試的一個集成 3D 測試方法。

按客戶需要設計參考流和 RF 參考設計工具箱

按客戶需要設計參考流啟用 20nm 自定義格式的 DPT。 它提供解決方法給 20nm 進程需求,包括一個直接鏈接以模擬程序的電壓從屬的 DRC 規律的核實和集成 LDE 解決方法和處理 HKMG 技術。 RF 參考設計工具箱提供新的高頻率設計指南。 這些包括 60GHz RF 設計技術支持,通過 (EM) 60GHz 的示例前對實施流和集成的被動設備技術支持的啟用客戶設計功能的高性能電磁式 (IPD)描述特性。

來源: http://www.tsmc.com

Last Update: 10. October 2012 06:22

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