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ORNL 研究员报告硅纳诺丝带边缘如磁性

Published on October 18, 2012 at 8:58 AM

硅纳诺丝带配置了,因此原子类似于网状电线可能拿着这个关键字到超离频的密度数据存储和远期的信息处理的系统。

(a) 一个地形学 STM 图象的三维表示被采取在金被稳定的附近 Si (553) 表面的低温。 二步边缘是印象的。 大明亮的功能在空转被对立的硅步骤边缘原子的地点,如表示的是由红色箭头。 (b) 正常化的导率曲线由 STM 评定了在被对立的和非被对立的 Si 步骤边缘原子,显示这个预测的空转被对立的状态在 0.5 V. 附近。

这是一关键查找能源部的保罗导致的科学家小组 Snijders 橡树岭国家实验室。 研究员使用了扫描挖洞显微学,并且验证基本原理计算 - 或设计的分光学 - 那多年来预测此结果。 这个发现,详述在物理新的日记帐上,验证此原理,并且可能移动离他们的有效创建较近磁性的长期目标的科学家在无磁性的材料。

“当科学家度过很多时间学习硅时,因为它是当前信息技术的耕马,第一次我们能明显地设立纳诺丝带边缘以磁性硅原子为特色”,说 Snijders,材料科学技术分部的成员。

惊奇是,当批量硅无磁性时,此材料纳诺丝带边缘是磁性。 Snijders 和同事 ORNL、 Argonne 国家实验室、威斯康辛大学和海军研究实验室的向显示电子空转是被定购的反铁磁,意味他们上上下下指向 alternatingly。 上上下下配置了这样、空转被对立的原子作为常规零的有效替代项和一个公用对电子或者充电,当前。

“通过剥削这个电子空转出现从内在被打破的束缚在金被稳定的硅表面,我们能替换常规电子上被充电的零,并且一个与上上下下指向的空转”, Snijders 说。

此发现提供一条新的大道学习低尺寸磁性,研究员注意。 最重要,这样跨步的硅金子表面为单一空转设备提供一块基本准确的模板在最终限额高密度数据存储和处理。

“在对更小和较低花费的磁铁,电动机、电子和存贮设备的搜寻,创建磁性在否则无磁性的材料可能有广远的涵义”, Snijders 说。

来源: http://www.ornl.gov

Last Update: 18. October 2012 09:44

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