ORNL 研究員報告硅納諾絲帶邊緣如磁性

Published on October 18, 2012 at 8:58 AM

硅納諾絲帶配置了,因此原子類似於網狀電線可能拿著這個關鍵字到超離頻的密度數據存儲和遠期的信息處理的系統。

(a) 一個地形學 STM 圖像的三維表示被採取在金被穩定的附近 Si (553) 表面的低溫。 二步邊緣是印象的。 大明亮的功能在空轉被對立的硅步驟邊緣原子的地點,如表示的是由紅色箭頭。 (b) 正常化的導率曲線由 STM 評定了在被對立的和非被對立的 Si 步驟邊緣原子,顯示這個預測的空轉被對立的狀態在 0.5 V. 附近。

這是一關鍵查找能源部的保羅導致的科學家小組 Snijders 橡樹嶺國家實驗室。 研究員使用了掃描挖洞顯微學,并且驗證基本原理計算 - 或設計的分光學 - 那多年來預測此結果。 這個發現,詳述在物理新的日記帳上,驗證此原理,并且可能移動離他們的有效創建較近磁性的長期目標的科學家在無磁性的材料。

「當科學家度過很多時間學習硅時,因為它是當前信息技術的耕馬,第一次我們能明顯地設立納諾絲帶邊緣以磁性硅原子為特色」,說 Snijders,材料科學技術分部的成員。

驚奇是,當批量硅無磁性時,此材料納諾絲帶邊緣是磁性。 Snijders 和同事 ORNL、 Argonne 國家實驗室、威斯康辛大學和海軍研究實驗室的向顯示電子空轉是被定購的反鐵磁,意味他們上上下下指向 alternatingly。 上上下下配置了這樣、空轉被對立的原子作為常規零的有效替代項和一个公用對電子或者充電,當前。

「通過剝削這個電子空轉出現從內在被打破的束縛在金被穩定的硅表面,我們能替換常規電子上被充電的零,并且一个與上上下下指向的空轉」, Snijders 說。

此發現提供一條新的大道學習低尺寸磁性,研究員注意。 最重要,這樣跨步的硅金子表面為單一空轉設備提供一塊基本準確的模板在最終限額高密度數據存儲和處理。

「在對更小和較低花費的磁鐵,電動機、電子和存貯設備的搜尋,創建磁性在否則無磁性的材料可能有廣遠的涵義」, Snijders 說。

來源: http://www.ornl.gov

Last Update: 18. October 2012 09:44

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