El CMOS 28nm del ST Ahora Agotó Completo el Proceso del Silicio-En-Aislador Disponible para la Creación De Un Prototipo

Published on October 19, 2012 at 5:53 AM

STMicroelectronics, Soitec (Euronext) y el CMP (Circuitos Projets® Multi) anunciaron que el CMOS 28nm del ST Agotó Completo el proceso del Silicio-En-Aislador (FD-SOI), que utiliza los substratos de silicio innovadores de Soitec, está hoy disponibles ahora para la creación de un prototipo para las universidades, los laboratorios de investigación y las compañías del diseño con los servicios del corretaje del silicio proporcionados por el CMP. El ST está release/versión esta tecnología de proceso a los terceros mientras que acerca a la realización de sus primeros fulminantes comerciales.

La introducción en el catálogo del CMP de los emplear del proceso del 28nm FD-SOI CMOS del ST la colaboración acertada que ha permitido que las universidades y las empresas del diseño lleguen hasta las generaciones anteriores del CMOS incluyendo 45nm (introducido en 2008), 65nm (introducido en 2006), 90nm (introducido en 2004), y 130nm (introducido en 2003). Los clientes del CMP también tienen el acceso a 65nm y a 130nm SOI (Silicio-En-Aislador), así como procesos de 130nm SiGe de STMicroelectronics. Por ejemplo, 170 universidades y otras compañías han recibido las reglas del diseño y los conjuntos del diseño para el proceso del ST 90nm CMOS, y más de 200 universidades y compañías han recibido las reglas del diseño y los conjuntos del diseño para el bulto del ST 65nm y los procesos de SOI CMOS.

Desde Que el CMP comenzó a ofrecer la tecnología del bulto del ST 28nm CMOS en 2011, unas 60 universidades y compañías de la microelectrónica han recibido las reglas del diseño y los conjuntos y 16 circuitos integrados (ICs) del diseño se han fabricado ya.

“Ha habido un gran interés en el diseño de los ICs usando estos procesos, con cerca de 300 proyectos que eran diseñados en 90nm (eliminado en 2009), y más de 300 ya en el bulto 65nm,” dijo a Bernard Courtois, Director del CMP. “Además, más de 60 proyectos se han diseñado ya en 65nm SOI y es interesante observar que muchos rematan universidades en Europa, USA/Canada y Asia se ha aprovechado ya de la colaboración entre el CMP y el ST.”

El servicio del fulminante del multi-proyecto del CMP permite que las organizaciones obtengan pequeñas cantidades -- típicamente de algunas docenas a unos miles unidades -- de los ICs avanzados. El costo del proceso de 28nm FD-SOI CMOS se ha reparado a 18.000 EUR /mm2, con una condición atmosférica mínima de 1mm2.

“Con el primer diseña en tecnología de FD-SOI ya en la tubería, el tiempo correcto poner la tecnología a disposición las comunidades de investigación. Nuestro proceso de fabricación de FD-SOI permite que los diseños existentes de manera rápida y fácil sean virados hacia el lado de babor a FD-SOI donde la ventaja importante de la potencia y del funcionamiento puede ser realizada,” dijo a Felipe Magarshack, Vicepresidente Ejecutivo, Enablement y Servicios, STMicroelectronics del Diseño. “Además, asegurar que las universidades tienen el acceso a nuestras tecnologías marginales puede ayudarnos a atraer a los mejores representantes técnicos jovenes como parte de nuestra consolidación para seguir siendo un arranque de cinta de la tecnología a largo plazo.”

“Nuestra sociedad con STMicroelectronics y el CMP es un ejemplo adicional de la consolidación de Soitec a proporcionar a soluciones distinguidas de los materiales al mercado libre, utilizando la extensión continua del ecosistema de FD-SOI y de los utilizadores de tecnologías avanzadas,” dijo a Steve Longoria, vicepresidente del desarrollo de negocios estratégico mundial para Soitec. “Con esta sociedad veremos los productos nuevos e innovadores basados en los materiales del FD-SOI de Soitec, como resultado de proveer de universidades y de otros clientes un camino probado para los circuitos integrados de la siguiente-generación que se convierten y de prueba.”

Fuente: http://www.st.com/

Last Update: 19. October 2012 10:52

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