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ST の CMOS 28nm は十分にプロトタイピングのために使用できるシリコン・オン・インシュレータプロセスを今減らしました

Published on October 19, 2012 at 5:53 AM

ST の CMOS 28nm が十分に Soitec からの革新的なシリコン基板を使用するシリコン・オン・インシュレータ (FD-SOI) プロセスを減らしたことを STMicroelectronics、 Soitec (Euronext) および CMP (回路マルチ Projets®) は今日、発表しましたり、 CMP によって提供されたケイ素の仲介手数料サービスによって大学、研究所およびデザイン会社にプロトタイピングのために今使用できます。 ST はサード・パーティに最初商業ウエファーの完了に近づくと同時にこの加工技術を解放しています。

CMP の大学およびデザイン会社が 45nm (2008 年に導入される)、 65nm (2006 年に導入される)、 90nm (2004 年に導入される)、および 130nm を含む前の CMOS の生成にした正常な共同の ST の 28nm FD-SOI CMOS プロセス造りのカタログの導入 (2003 年に導入される) アクセスするように。 CMP の顧客にまた 65nm および 130nm SOI (シリコン・オン・インシュレータ) へのアクセス、また STMicroelectronics からの 130nm SiGe プロセスがあります。 例えば、 170 の大学および他の会社は ST 90nm CMOS プロセスのためのデザイン規則そしてデザインキットを受け取り、 200 人以上の大学および会社は ST 65nm の大きさおよび SOI CMOS プロセスのためのデザイン規則そしてデザインキットを受け取りました。

CMP が 2011 年に ST 28nm CMOS の大きさの技術を提供し始めてから約 60 人の大学およびマイクロエレクトロニクスの会社はデザイン規則を受け取り、デザインキットおよび 16 の集積回路 (IC) は既に製造されてしまいました。

「設計されて約 300 のプロジェクトがこれらのプロセスを使用して IC の設計に大きい興味が、 90nm で (2009 年に停止される) あり、大きさ 65nm の以上 300 既に」、 Bernard Courtois を CMP のディレクター言いました。 「さらに、 60 以上のプロジェクトは 65nm SOI で既に設計され、多数がヨーロッパの大学を越えることに注意することは興味深く、 USA/Canada、アジアは既に利用してしまいました CMP と ST. 間の共同を」

CMP の複数のプロジェクトのウエファーサービスは組織が少しを得るようにします -- 普通少数のダースから少数の千単位への -- 高度 IC の。 28nm FD-SOI CMOS プロセスの費用は最低 1mm2 の 18,000 EUR /mm2 に、固定されました。

「第 1 と準備中の FD-SOI の技術で既に時間です技術をリサーチに使用できるようにすること右設計します。 私達の FD-SOI の製造工程は現在の仕様が迅速かつ簡単に」言いました Philippe Magarshack、 STMicroelectronics、副総裁、デザイン Enablement およびサービス重要な力およびパフォーマンス利点が実現することができる FD-SOI に移植されるようにします。 「さらに、私達の先端の技術へのアクセスを大学が持っていること保障することは長期基礎の技術のリーダーに残るために私達が私達の責任の一部として最もよく若いエンジニアを引き付けるのを助けることができます」。

「STMicroelectronics および CMP との私達のパートナーシップ公開市場へ区別された材料の解決を提供することへ Soitec の責任の追加例です、先行技術の FD-SOI の生態系そしてユーザーの絶え間ない拡張をサポートする」、はスティーブ Longoria を Soitec のための世界的で戦略的な事業開発の上席副社長言いました。 「このパートナーシップによって私達は見ます成長し、テストの次世代の集積回路に証明された経路を大学および他の顧客に与えることの結果として Soitec の FD-SOI 材料に、基づいて新しく、革新的な製品を」。

ソース: http://www.st.com/

Last Update: 19. October 2012 10:51

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