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ST의 CMOS 28nm는 완전히 Prototyping를 위해 유효했던 실리콘 온 인슐레이터 프로세스를 지금 고갈시켰습니다

Published on October 19, 2012 at 5:53 AM

ST의 CMOS 28nm가 완전히 Soitec에서 혁신적인 실리콘 기판을 이용하는 실리콘 온 인슐레이터 (FD-SOI) 프로세스를 고갈시켰다는 것을 STMicroelectronics, Soitec (Euronext) 및 CMP (회로 다중 Projets®)는 오늘, 알리고, 지금 CMP에 의해 제공된 실리콘 중개업 서비스를 통해 대학, 연구소 및 디자인 회사에게 prototyping를 위해 유효합니다. ST는 제3자에 그것의 첫번째 상업적인 웨이퍼의 완료가 에 의하여 접근하는 때 이 가공 기술을 풀어 놓고 있습니다.

CMP의 대학과 디자인 상사를 (2008년에 소개되는) 45nm, (2006년에 소개되는) 65nm, (2004년에 소개되는) 90nm, 및 (2003년에 소개되는) 130nm를 포함하여 이전 CMOS 발생에 허용한 성공적인 협력에 ST의 28nm FD-SOI CMOS 프로세스 구조의 카탈로그에 있는 소개 접근하는 것이. CMP의 클라이언트는 또한 65nm와 130nm SOI (실리콘 온 인슐레이터)에 접근, 뿐 아니라 STMicroelectronics에서 130nm SiGe 프로세스가 있습니다. 예를 들면, 170의 대학 및 그밖 회사는 ST 90nm CMOS 프로세스를 위한 디자인 규칙 그리고 디자인 장비를 수신하고, 200명 이상 대학 및 회사는 ST 65nm 부피 및 SOI CMOS 프로세스를 위한 디자인 규칙 그리고 디자인 장비를 수신했습니다.

CMP가 2011년에 ST 28nm CMOS 부피 기술을 제안하기 시작할 후 부터, 약 60명의 대학 및 마이크로 전자공학 회사는 디자인 규칙을 수신하고 디자인 장비와 16의 직접 회로 (IC)는 이미 제조되었습니다.

"대략 300의 계획사업이 이 프로세스를 사용하여 IC 디자인에 있는 중대한 관심사가, (2009년에 단계적으로 제거되는) 90nm에서 디자인된 상태에서 있고, 부피 65nm에서 300 이미," 이상의 Bernard Courtois를 CMP의 디렉터 말했습니다. "추가적으로, 60 이상 계획사업은 65nm SOI에서 이미 디자인되고 유럽에 있는 대학이 많은 것에 의하여 꼭대기에 오른다는 것을 주의하는 것이 흥미롭, USA/Canada 아시아는 이미 이용했습니다 CMP와 ST. 사이 협력을"

CMP 다중 계획사업 웨이퍼 서비스는 편성부대가 소량을 장악하는 것을 허용합니다 -- 전형적으로 약간 다스에서 몇천개 부대에 -- 향상된 IC의. 28nm FD-SOI CMOS 프로세스의 비용은 최저 1mm2와 더불어 18,000 EUR /mm2에, 고쳐졌습니다.

"첫번째로 진행중인 FD-SOI 기술에서 이미, 시간 기술을 연구 단체에게 이용가능하게 하게 맞습니다 디자인합니다. 우리의 FD-SOI 제조공정은 기존 디자인이 신속하고 쉽게," 말했습니다 Philippe Magarshack, STMicroelectronics, 부사장, 디자인 Enablement 및 서비스 중요한 힘과 성과 이득이 실현될 수 있는 FD-SOI에 향하는 것을 허용합니다. "추가적으로, 우리의 앞 가장자리 기술에 접근을 대학이 가지고 있다 지키는 것은 장기 기초에 기술 지도자에 남아 있기 위하여 저희가 우리의 투입의 한 부분으로 최고 젊은 엔지니어를 끌 것을 도울 수 있습니다."

"STMicroelectronics와 CMP를 가진 우리의 공동체정신 개방 시장에 분화한 물자 해결책 제공에 Soitec의 투입의 추가 보기입니다, 선진 기술의 FD-SOI 생태계 그리고 사용자의 연속적인 확장을 지원하는,"는 Steve Longoria를 Soitec를 위한 세계적인 전략적인 사업 개발의 선임 부사장 말했습니다. "이 공동체정신을 통해 우리는 볼 것입니다 발전 및 시험 차세대 직접 회로를 입증된 경로를 대학과 그밖 고객 제공 결과로 Soitec의 FD-SOI 물자에, 근거를 둔 새로운 혁신적인 제품을."

근원: http://www.st.com/

Last Update: 19. October 2012 10:51

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