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X-FABs Erst-von-sein-Nette SOI-Gießerei-Technologie Bietet Fähigkeit MOS-200V bei 180 nm an

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

X-FAB Produktionsstätten kündigten heute sein XT018, die der Welt erster getrennte SOI Gießereitechnologie des Grabens Nichtleiter an, die für Fähigkeit MOS-200V an 180nm anbietet. Unter Verwendung der vollen dielektrischen Isolierung dieses modularen Prozesses erlaubt, dass Blöcke an den verschiedenen Spannungspegeln auf einem einzelnen Chip integriert werden, anstelle gelegt auf verschiedene Chips. Es verringert beträchtlich die Anzahl von erforderlichen zusätzlichen Bauteilen auf Leiterplatten, beseitigt Sperrung und stellt eingebaute Robustheit gegen elektromagnetische Störung zur Verfügung.

Die Technologie XT018 SOI ist der einzige erhältliche Gießereiprozeß an 180nm für die Anwendungen, die das 100V zum Spannungsbereich 200V benötigen. Es ist für Verbraucher, medizinische, Fernmeldeinfrastruktur und industrielle Anwendungen ideal, die bidirektionale Isolierung, wie PoE-Anwendungen, Ultraschallsendertreiber, piezo Stellzylinder und kapazitiv-gesteuerte Feinstmechanik benötigen.

Die neue Technologie kombiniert völlig getrennte MOS-Transistoren für den Hochspannungsablaß mit einer Technologie 180nm für EIN-/AUSGABE 1.8V/5.0V und bis 6 Metallschichten. Seine eindeutige Prozessarchitektur, eine Superkreuzung Architektur mit patentierter dielektrischer HOCHSPG-Beendigung für die MOS-Transistoren verwendend, erlaubt Kompaktbauweise mit einem Ron, der wie 0,3 Ùmm-² für 100V und 1.1Ùmm ² für Transistoren 200V nMOS so niedrig ist. Die HOCHSPG-MOS-Transistoren werden konstruiert, um identische elektrische Parameter für niedrig- und HochSideoperation zu haben.

Der modulare Anflug des Prozesses XT018 umfaßt einen Block 5V-only für analog-fokussierte Anwendungen und Blöcke HVnmos und Hvpmos, die separat ausgewählt werden können. Die Technologie wird völlig für eine Temperaturspanne -40°C zu 175°C. gekennzeichnet.

Zusätzlich zu den HOCHSPG-Transistoren liefert das neue Angebot der Technologie XT018 eine starke Metalloption, um hoch-aktuelle Wegewahl, getrennter MOS 10V, grundlegende Flächendioden und bipolar Transistor, mittlere und hoch-ohmsche Polywiderstände und Bereich-effizientes Hochleistungs-MIM (2,2 bis 6,6 fF-/µm²) sowie ein Hochspannungskondensator zu unterstützen. Die Superkreuzung Technologie darf Dioden mit Genesungszeit der Rückseite gleichrichten 20ns und aktiviert auf dem Chip eher als Auschip die effizient integriert zu werden Entzerrer und Urladenschaltkreis.

Sebastian Schmidt, Produktvertriebsleiter für X-FABs Hochspannungsproduktlinie, sagte, „Unsere Technologie XT018 gewährt außergewöhnliche dielektrisch getrennte Hochspannungshalterung. Solche Isolierung macht es einfacher, Innovationsschleifen kurz zu konstruieren, ist Geradeaus und ergibt eine schnellere Zeit zum Markt.“

Das XT018 PDK ist jetzt erhältlich, also können Designer sofort, zu konstruieren beginnen.

X-FAB plant, ein freies webinar auf dem neuen Prozess XT018 im Laufe des Jahres zu bewirten.

Quelle: http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:30

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