La Technologie Premier-de-son-Aimable X-FAB's de Fonderie de SOI Offre la Capacité de MOS 200V à 180 nanomètre

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

Les Fonderies de Silicium de X-FAB ont aujourd'hui annoncé son XT018, la technologie de fonderie d'isolement de la tranchée par diélectrique SOI du monde le premier offrant pour la capacité de MOS 200V à 180nm. Utilisant le plein isolement diélectrique de ce procédé modulaire permet à des cases à différents niveaux de tension d'être intégré sur une puce unique au lieu de mis sur différentes puces. Elle réduit de manière significative le nombre de composants supplémentaires exigés sur des printeds circuit boards, élimine le verrou- et fournit la robustesse intrinsèque contre la perturbation électromagnétique.

La technologie de XT018 SOI est le seul procédé disponible de fonderie à 180nm pour des applications exigeant le 100V au domaine de la tension 200V. Il est idéal pour le consommateur, l'infrastructure médicale, de télécommunication et les applications d'industriel qui ont besoin de l'isolement bidirectionnel, tel que des applications de PoE, des gestionnaires d'émetteur d'ultrason, des déclencheurs piézo-électriques et la micromécanique motivée par capacitif.

La technologie neuve combine les transistors entièrement d'isolement de MOS pour la fuite à haute tension avec une technologie 180nm pour E/S 1.8V/5.0V et jusqu'à 6 couches en métal. Sa seule architecture de processus, employant une architecture de superbe-jonction avec l'achêvement diélectrique breveté de HT pour les transistors de MOS, permet le design compact avec Ron aussi faible que 0,3 ² d'Ùmm pour 100V et ² de 1.1Ùmm pour des transistors de 200V NMOS. Les transistors de MOS de HT sont conçus pour avoir des paramètres électriques identiques pour le fonctionnement faible et de haut-côté.

L'élan modulaire du procédé XT018 comprend un module 5V-only pour des applications analogique-orientées, et les modules de HVnmos et de Hvpmos qui peuvent être sélectés séparé. La technologie est entièrement caractérisée pour une plage de températures de -40°C à 175°C.

En plus des transistors de HT, l'offre neuve de la technologie XT018 fournit une option épaisse en métal pour supporter le routage à forte intensité, d'isolement le MOS 10V, les diodes à jonction de base et les transistors bipolaires, poly les résistances moyen- et haut-par effet de Joule, et un MIM de grande capacité zone-efficace (² de 2,2 à 6,6 fF/µm), ainsi qu'un condensateur à haute tension. La technologie de superbe-jonction laisse rectifier des diodes avec le temps de rétablissement de l'inverse 20ns, activant des redresseurs et des circuits d'amorce à intégrer efficacement sur la puce plutôt qu'hors puce.

SebastiAn Schmidt, gestionnaire de marketing de produit pour la ligne de produits À Haute Tension X-FAB's, a indiqué, « Notre technologie XT018 fournit le support à haute tension diélectriquement d'isolement exceptionnel. Un Tel isolement le facilite pour concevoir pour faire court des cycles d'innovation, est droit, et a comme conséquence un délai d'arrivée au marché plus rapide. »

Le XT018 PDK est disponible maintenant, ainsi les créateurs peuvent commencer à concevoir immédiatement.

X-FAB planification pour héberger un webinar libre sur le procédé XT018 neuf dans le courant de l'année.

Source : http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:29

Tell Us What You Think

Do you have a review, update or anything you would like to add to this news story?

Leave your feedback
Submit