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X すてきな最初のもの SOI の鋳物場の技術は 180 nm で 200V MOS の機能を提供します

Published on November 9, 2012 at 6:53 AM

X-FAB のシリコン・ファウンドリーは今日 XT018 の 180nm で 200V MOS の機能のために提供する世界の最初堀誘電体によって隔離された SOI の鋳物場の技術を発表しました。 このモジュラープロセスの完全な誘電性の隔離を使用して異なった電圧レベルのブロックが異なったチップに置かれるの代りに単一チップで統合されるようにします。 それはかなりプリント基板の必須の追加コンポーネントの番号を減らし、ラッチを除去し、そして電磁干渉に対して組み込みの強さを提供します。

XT018 SOI の技術は 200V 電圧範囲に 100V を必要とするアプリケーションのための 180nm に唯一の使用できる鋳物場プロセスです。 それは PoE アプリケーション、超音波の送信機ドライバー、 piezo アクチュエーターおよび容量性主導のマイクロメカニクスのような二方向の隔離を、必要とする消費者、医学、電気通信の構造基盤および産業アプリケーションにとって理想的です。

新技術は 1.8V/5.0V 入力/出力および 6 つまでの金属の層のための 180nm 技術と高圧下水管のための十分に隔離された MOS のトランジスターを結合します。 MOS のトランジスターのために特許を取られた誘電性 HV の終了の超接続点アーキテクチャを利用するその一義的なプロセスアーキテクチャは 100V のための Ùmm の 0.3 の ² および 200V nMOS のトランジスターのための 1.1Ùmm の ² 低い Ron とのコンパクトデザインを可能にします。 HV MOS のトランジスターは低および高側の操作のための同一の電気パラメータがあるように設計されています。

XT018 プロセスのモジュラーアプローチはアナログ集中されたアプリケーションのための 5V だけモジュールを、および別に選ぶことができる HVnmos および Hvpmos のモジュールが含まれています。 技術は -40°C への 175°C. の温度較差のために十分に特徴付けられます。

HV のトランジスターに加えて、新しい XT018 技術の提供は高現在の経路指定、隔離された 10V MOS、基本的な接続点ダイオードおよび両極トランジスター、中型および高抵抗多抵抗器、および領域効率的な大容量 MIM (2.2 から 6.6 fF/µm の ²)、また高圧コンデンサーサポートするために厚い金属オプションを提供します。 超接続点の技術は 20ns 逆の回復時間のダイオードを調整することを割り当てま以外チップよりもむしろチップで効率的に統合されるべき整流器およびブートストラップの回路部品を可能にします。

セバスチャンシュミツト、 X すてきな高圧製品種目のための製品マーケティングマネージャは、言いました、 「私達の XT018 技術は例外的な dielectrically 隔離された高圧サポートを提供します。 そのような隔離はそれを短い革新のサイクルのために設計することもっと簡単にし簡単で、そしてより速い製品化までの時間に起因します」。

XT018 PDK は今使用できます、従ってデザイナーはすぐに設計し始めることができます。

X-FAB は新しい XT018 プロセスの自由な webinar 今年末頃に催すことを計画します。

ソース: http://www.xfab.com

Last Update: 9. November 2012 07:30

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